Процесс - образование - центр - кристаллизация
Cтраница 2
Здесь приводится сокращенное и по возможности упрощенное рассмотрение процесса образования центров кристаллизации в обычных для химического анализа условиях. Распределение размера частиц осадка должно определяться относительной скоростью двух процессов: 1) образования центров кристаллизации и 2) роста центров кристаллизации. [17]
 |
Схема кристаллизации стекол для получения ситаллов. [18] |
В противоположность этому Вейль [109] считает, что скорость процесса образования центров кристаллизации в большой степени зависит от распределения химических сил связей внутри системы, а структурные факторы, в частности подобие кристаллических структур катализатора и кристаллизующейся фазы, еще недостаточны сами по себе для обеспечения этого процесса. Например, несмотря на подобие структур кристобалита и стекловидного кварца, переход стекла в кристобалит происходит очень медленно и требует катализаторов. [19]
В растворах простых солей процесс роста кристаллов имеет склонность перегонять процесс образования центров кристаллизации. [20]
 |
Кристаллизатор периодического действия с перемешиванием. [21] |
При эксплуатации кристаллизаторов-сборников с естественным охлаждением весьма ограничены возможности контроля процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. [22]
Горский, в частности, применил кинетическое уравнение Френкеля к процессу образования центров кристаллизации в переохлажденных расплавах пиперина, серы и бетола в зависимости от температуры. Особенно важно рассмотреть влияние потенциала электростатического поля на образование центров, которое указывает на сильное воздействие этого фактора на молекулярную ассоциацию. Отчетливая разница наблюдается в тех случаях, когда пиперин кристаллизуется из переохлажденного расплава на стеклянной пластинке или на плоскости спайности слюды: при этом особенно бывает заметна разница между максимумами спонтанного образования центров кристаллизации в единице объема. Иначе говоря, поверхностная энергия на границе расплав - центр кристаллизации определенно зависит от внешних электростатических полей. Результаты вычисления постоянных, входящих в уравнения Френкеля, удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. [23]
Кроме явлений, связанных с магнитной восприимчивостью и электрической поляризацией, на процесс образования центров кристаллизации влияют магнитогидродинамические явления [25], которые приводят к тому, что в потоке жидкости появляются возмущения, распространяющиеся в виде волн, создающих дополнительные флуктуации плотности, а следовательно, и увеличивающие вероятность образования дополнительных центров кристаллизации. [24]
Способность веществ переохлаждаться и образовывать пересыщенные растворы обусловлена высокой энергией активации, низкой энтропией активации процесса образования центров кристаллизации и малой скоростью роста зародышей. [25]
Маурером [157, 158] установлено, что расслоение титансодержа-щих стекол на две жидкие фазы или появление изотропных областей ( эмульсий) облегчает процесс образования центров кристаллизации благодаря более низкой поверхностной энергии на поверхностях раздела между двумя жидкостями по сравнению с той же энергией на границах раздела между кристаллом и жидкостью. Величина энергии активации процесса образования центров кристаллизации на поверхностях раздела этих эмульсий и внутри одной из фаз меньше, чем в исходном гомогенном стекле, ввиду отличия химического состава одной из выделившихся фаз от состава первоначального стекла, наличие же градиента в химическом составе областей расслоения способствует более легкому образованию центров кристаллизации. [26]
Металлы, осаждаемые из растворов комплексных солей, получаются в мелкокристаллическом состоянии, плотном и почти аморфном, так как в этом случае процесс образования центров кристаллизации опережает рост кристаллов. Из растворов комплексных солей осаждаются серебро, золото, платина, цинк, олово, медь и др., а также некоторые сплавы. [27]
Хотя в уравнения, определяющие скорости возникновения центров и роста кристаллов, входит целый ряд параметров, Тернбал и Коэн, сделав некоторые упрощающие допущения, смогли показать, что основным условием стеклообразования являются большие значения отношений свободных энергий активации процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов к температуре, ниже которой могут образоваться кристаллы. [28]
 |
Программа наложения импульсов при изучении образования центров кристаллизации ( о и роста кристалла ( б. [29] |
В соответствующих опытах электролиз водного раствора 0 1 М РЬАс2 в 1 М ацетате натрия и 1 М уксусной кислоте проводили при потенциале 1 3250 и при потен циале предварительной поляризации 1 525 в относительно стандартного водородного электрода для разных значений времени импульса поляризации. Так как процесс образования центров кристаллизации требует большей энергии активации, чем процесс роста кристалла, первый импульс имел более высокое значение по потенциалу для того, чтобы вызвать образование ряда зародышей нг поверхности электрода. [30]
Страницы: 1 2 3 4