Процесс - отпирание
Cтраница 1
 |
Графики переходных токов и напряжений в инверторе.| Схемы замещения инвертора на этапе задержки отпирания. [1] |
Процессы отпирания и запирания транзистора разобьем на несколько этапов, которые рассмотрим поочередно. [2]
Процесс отпирания и запирания диодов управляется напряжением гетеродина - Иь. [3]
Процесс отпирания лампы Лг и запирания лампы Лг происходит лавинообразно. Новое состояние опять неустойчиво, так как на этот раз конденсатор СС2 будет разряжаться, а конденсатор СС1 - заряжаться; далее все процессы повторяются вновь. [4]
Почему процесс отпирания тиристора при подаче тока управления протекает лавинообразно. [5]
В процессе отпирания тиристора мощность выделяется в проводящем канале, который расширяется на этапах установления прямого сопротивления и остаточного напряжения. Пока протекает процесс установления прямого сопротивления, мощность рассеивается в основном в области объемного заряда обратно смещенного перехода / 2, а в течение времени установления напряжения t / OCT во всем проводящем канале, так как падение напряжения на переходе / 2 становится сравнимым с падением напряжения на базовых областях. [6]
В процессе отпирания транзистора потенциал анода диода становится все менее отрицательным, так что в некоторый момент диод отпирается. [7]
 |
Изменение напряжений на транзисторе в течение третьего интервала процесса отпирания. [8] |
Второй этап процесса отпирания характеризуется тем, что инерционность процессов на коллекторном переходе в течение данного интервала определяется уже не зарядными процессами в обедненном слое коллекторного p - n - перехода, а диффузионными процессами в базе. Процесс установления напряжения на эмиттер-ном переходе в течение второго интервала определяется в основном зарядом емкости обедненного слоя эмиттерного р-п-перехода Сэо наведенным диффузионным током. Данный интервал процесса отпирания характеризуется наличием экстремума напряжения на промежутке эмиттер-коллектор. [9]
Третий интервал процесса отпирания характеризуется тем, что диффузионные процессы начинают преобладать как на коллекторном, так и на эмиттерном переходе. [10]
Таким образом, процесс отпирания одной лампы и запирания другой будет повторяться в обратном направлении. [11]
Таким образом, процесс отпирания транзистора при однополярном управлении от источника тока может быть разбит на три интервала, отличающихся друг от друга преобладающим влиянием тех или иных физических процессов в транзисторе. [12]
Следовательно, ускоряя процесс отпирания транзистора и уменьшая длительность положительного фронта, ускоряющая емкость одновременно увеличивает длительность отрицательного фронта импульса t ( ом. Величина ускоряющих емкостей обычно выбирается из условия получения одинаковых длительностей положительного и отрицательного фронтов импульса. [13]
 |
Зависимость времени задержки от амплитуды отпирающего импульса управления при различных значениях тока анода для тиристоров типа КУ201. [14] |
Длительность каждого из процессов отпирания и запирания тиристоров целесообразно характеризовать двумя параметрами. [15]
Страницы: 1 2 3 4