Процесс - отпирание
Cтраница 2
 |
Простейшая схема диодного ключа.| К объяснению работы диодного ключа.| Способы кусочно-линейной аппроксимации ВАХ диода. [16] |
Следовательно, в начале процесса отпирания сопротивление диода имеет наименьшее значение однако по мере накопления заряда в базе диода оно увеличивается и приближается к величине гя ар и, соответствующей статическому режиму. [17]
 |
Схема фантастрона с времязадающим мостовым элементом. [18] |
Источники небольшого напряжения Е ускоряют процесс отпирания транзисторов после отпирания диодов моста. [19]
Одним из основных параметров, характеризующих процесс отпирания трехэлектродных тиристоров, является импульсный ток спрямления / спр, под которым следует понимать минимальную амплитуду положительного импульса тока управления заданной длительности, переключающего тиристор в открытое состояние при определенном напряжении на аноде. [20]
Их подзаряд током обмотки цепи ПОС одновременно форсирует процесс отпирания того силового транзистора, который должен перейти в проводящее состояние в очередном такте работы ДПН. [22]
Формирование положительного фронта на коллекторе тран-зистора Т2 определяется процессом отпирания этого транзисто-ра под действием тока базы iea. Благодаря этому процесс открытия транзистора Т2 уско-ряется. [23]
Очевидно, что амплитуда выброса напряжения U3K в процессе отпирания транзистора при двухполярном управлении может значительно превышать амплитуду соответствующего выброса при однополярном управлении. [24]
 |
Эквивалентная схема транзисторного модулятора при двухполярном управлении. [25] |
При этом оказывается, что при двухполярном управлении как процесс отпирания, так и процесс запирания транзистора могут быть разбиты на те же интервалы, что и процесс переключения транзистора при однополярном управлении. [26]
Благодаря ненулевым начальным условиям на переходах транзистора, к началу первого интервала процесса отпирания на всех последующих интервалах начальное напряжение на одном из p - n - переходов не совпадает с соответствующим начальным напряжением при одно-полярном управлении. [27]
Из выражений ( 2 - 155) и ( 2 - 161), определяющих Ском для процесса отпирания транзистора, можно заключить, что по своей физической природе эта емкость является дифференциальной диффузионной емкостью диода Дэ эквивалентной схемы транзистора рис. 2 - 2 при инверсном включении транзистора и диода Дк - при его нормальном включении. [28]
 |
Автогенераторный ДПН по схеме с первичной обмоткой трансформатора, имеющей средний вывод. [29] |
Это увеличивает коллекторный ток VT1 и, как следствие, напряжение на обмотке и Пос - Таким образом, процесс отпирания силового транзистора происходит лавинообразно. В результате транзистор переходит в режим насыщения. [30]
Страницы: 1 2 3 4