Процесс - отпирание
Cтраница 4
После запирания транзистора конденсатор начинает разряжаться по цепи базовая обмотка трансформатора - резистор R - источник питания С / и. Ток перезаряда создает на резисторе R падение напряжения ( полярность его указана на рис. 8 - 9), и транзистор находится в запертом состоянии до момента, пока напряжение на базе не станет близким к нулю. После этого начинается процесс отпирания. [46]
В результате такие отрицательные факторы, как сильное расширение среды перед седлом клапана и большие энергетические потери, могут привести к неудовлетворительной работе предохранительных клапанов. Поскольку сила воздействия потока на затвор с увеличением его хода уменьшается, она может оказаться недостаточной для надежной работы клапана. При этом могут наблюдаться вибрации затвора, что приводит к затягиванию процессов отпирания и запирания клапана. [47]
Для формирования импульсов фазового управления применяется транзисторный бло-кипг-формирователь. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Одна из вторичных обмоток включена через диод и сопротивление па вход транзистора, благодаря чему процесс отпирания транзистора происходит лавинообразно уже при напряжении 15 мв. Симметрия импульсов 1 сохраняется при температурах до 70 С. Работоспособность системы не нарушается и при более высоких температурах. [48]
Это напряжение весьма мало. При этих условиях триод должен отпереться. Но так как напряже-жение на входе, при котором он отпирается, близко к нулю, а соответственно этому и ток во входной цепи близок к нулю, то на процесс отпирания триода будут существенно влиять флуктуации токов входного и выходного р-п-пе-реходов и внешние наводни; в результате момент отпирания от периода к периоду будет меняться. При достаточных напряжениях Е производная тока в цепи разряда в момент отпирания триода имеет значительную величину, благодаря чему влияние флуктуации существенно ослабляется. [49]
 |
Простейший [ IMAGE ] Схемы управления ключом на полевых ключ на транзисторе с транзисторах, стабилизирующие напряжение зат-р - п-переходом вор - канал. [50] |
В схеме на рис. 6.6 а затвор и вход соединены высокоомным резистором R. Uc s t / jj и сопротивление канала минимально. Уровень входного сигнала, замыкающего ключ, должен быть не менее максимального переключаемого сигнала. Запирающий сигнал, требования к которому такие же, как у ключа на рис. 6.5, пропускается диодом на затвор. Без включения конденсатора процесс отпирания затягивается на десятки микросекунд. [51]
 |
Схема типа РЕТЛ. [52] |
В этом случае образуется схема типа РТЛ, принцип работы которой и выполняемые ею логические функции ничем не отличаются от рассмотренной выше схемы типа ТЛНС. Следует, однако, отметить, что схемы типа РТЛ имеют относительно небольшое быстродействие. При поступлении входного сигнала эта емкость заряжается через соответствующий базовый резистор. Постоянная времени заряда ( т RC) при достаточно большом сопротивлении базового резистора может превысить длительность входного сигнала. В результате происходят искажения формы входного сигнала, затягивание процесса отпирания транзистора и. Схемы такого типа называются схемами РЕТЛ. В момент переключения конденсаторы ( их называют ускоряющими) на некоторое время закорачивают резисторы и тем самым как бы исключают их из схемы. Поэтому постоянная времени заряда паразитных базовых емкостей резко уменьшается, а время переключения транзисторов из запертого состояния в открытое и наоборот заметно сокращается. [53]
 |
Узел кадровой развертки телевизора. [54] |
Предположим, что триггер находится в первом состоянии. В процессе заряда на верхней по схеме обкладке конденсатора возрастает отрицательный потенциал по отношению к нижней обкладке. Это поведет к уменьшению падения напряжения на резисторе Ri и, как следствие, к дальнейшему развитию процесса отпирания транзистора 7V Процесс этот развивается лавинообразно: транзистор Тг быстро переходит в состояние заперт, транзистор Г, в состояние отперт и конденсатор ( С - Сд) быстро разряжается через эмиттер-ный переход последнего. В результате величина прямого смещения эмиттерного перехода транзистора Т уменьшается, затем это смещение меняет знак, транзистор Г, снова запирается и транзистор Тг отпирается. [55]
После перехода триггера в режим регенерации переходный процесс происходит следующим образом. Через конденсатор GI каскад нагружен на внешнюю нагрузку, которую составляет в основном сопротивление гвх а транзистора Т, работающего в активном режиме. Поскольку входное сопротивление транзистора 7 невелико ( г х a RK), то можно считать, что каскад на Т2 работает на внешнюю короткозамкнутую нагрузку. Полагая, что ускоряющий конденсатор С ( имеет достаточно большую емкость и напряжение на нем за время регенерации практически не меняется, приходим к выводу, что во время регенеративного процесса напряжение на коллекторе Tt тоже практически не меняется. При постоянном напряжении на коллекторе Tt ток этого транзистора изменяется, но все изменение тока через Ct идет в цепь базы Tlt В аналогичных условиях находится транзистор TI, работающий также в активном режиме. Коллекторный гок транзистора TI продолжает интенсивно уменьшаться. Из-за этого транзистор Tt отпирается еще больше; дальнейшее приращение его коллекторного тока создает одинаковое приращение запирающего тока в цепи базы TI, Процесс отпирания T. Это свидетельствует о запирании транзистора T и потере им усилительных свойств. Условия для существования регенеративного процесса нарушаются, регенеративный этап работы схемы заканчивается. [56]
Страницы: 1 2 3 4