Процесс - отпирание
Cтраница 3
Поскольку решение уравнений ( 2 - 29) и ( 2 - 30) невозможно получить в общем виде, целесообразно учесть полученные ранее соотношения между отдельными составляющими токов и разбить весь процесс отпирания транзистора на ряд интервалов так, чтобы на каждом интервале можно было бы пренебречь некоторыми из составляющих эмиттерного и коллекторного токов. [31]
Поэтому расчет переходных процессов при запирании транзистора значительно сложнее, чем при его отпирании, как из-за того, что трудно определить исходную для запирания картину распределения неосновных носителей заряда ( для процессов отпирания начальные условия нулевые или могут быть сведены к кулевым), так и из-за необходимости, вообще говоря, решать трехмерную задачу. [32]
К числу параметров, характеризующих отпирание ти-ристорного ключа, следует отнести максимально допустимую скорость нарастания тока анода ( di - ldf) макс - Ограничение скорости dinv / dt сверху обусловлено влиянием неодномерных явлений на процесс отпирания тиристора ( см. § 2.3) и оказывается особенно сильным в режимах, когда амплитуда импульса прямого тока / примп / прмакс - Значения ( й ПрА) макс и / пртшмакс зависят от длитель-ности импульсов прямого тока и частоты их следования ( см. гл. [33]
Очевидно, что выявление области целесообразного применения указанного способа, а также возможности его использования для количественной оценки нестационарных кумулятивных эффектов в тиристорах требует прежде всего изучения физической картины явлений, наблюдаемых в активных зонах полупроводниковых приборов в процессе отпирания. [34]
Запишем уравнения равновесия напряжений для двух названных этапов в зависимости от угла поворота ротора на межкоммутационном интервале, исходя из следующих допущений: 1) падение напряжения на транзисторах и диодах в открытэм состоянии, а также внутри источника пренебрежимо мало; 2) процесс отпирания и запирания транзисторов происходит мгновенно; 3) в каждый момент времени в открытом состоянии находятся два транзистора; 4) скорость двигателя в установившемся режиме постоянна; 5) индуктивность и взаимная индуктивность элементов обмотки двигателя не зависят от положения ротора; 6) индуктивность и взаимная индуктивность секций, а также их активные сопротивления одинаковы и равны соответственно L, М, г; 7) эффектом наведения токов в теле постоянного магнита, обусловленным изменением тока в обмотке статора, пренебрегаем, при этом поток магнита считаем постоянным. [35]
Однако в четырехслойной композиции электроны, проходящие через средний запирающий слой, отпирают n - зону базы и повышают также прямое напряжение запирающего слоя S3, благодаря чему из анодной зоны дырочный ток достигает среднего запирающего слоя ( с соответствующим запаздыванием во времени), усиливает процесс отпирания р-зоны базы и поддерживает управляющий ток. При чисто омической нагрузке получаются показанные на рис. 2 кривые анодного тока и напряжения. [36]
 |
Усредненная зависимость. [37] |
Величина ( Уком на эквивалентной схеме транзисторного ключа ( см. рис. 2 - 31) определяется выражениями ( 2 - 153), ( 2 - 154), ( 2 - 159) и ( 2 - 160) в тех случаях, когда необходимо более точно воспроизвести процесс отпирания транзистора, и выражениями ( 2 - 156), ( 2 - 157), ( 2 - 162) и ( 2 - 163), когда нужно более точно воспроизвести процесс запирания транзистора. [38]
 |
Вольт-амперные характеристики триодного тиристора для разных управляющих.| Вольт-амперная характеристика симметричного тиристора [ IMAGE ] - 21. Структура симметричного тиристора. [39] |
Эти основные свойства триодного тиристора наглядно показывают его вольт-амперные характеристики, изображенные на рис. 7 - 18 для различных токов управляющего электрода 1Г Чем больше этот ток, тем сильнее инжекция носителей от соответствующего эмиттера к среднему коллекторному переходу и тем меньшее требуется напряжение на тиристоре для того, чтобы начался процесс отпирания прибора. И наоборот, при значительном токе 1У характеристика триодного тиристора приближается к характеристике прямого тока обычного диода. [40]
 |
Фильтры с тиристорами. [41] |
При проектировании тиристорных регуляторов следует уделять внимание уменьшению восприимчивости спусковых схем к помехам в цепях питания и защите схем управления тиристорами от возникающих переходных процессов. Вторая задача несколько сложнее, так как меры, принимаемые для уменьшения влияния переходных процессов, могут нежелательно воздействовать на характеристики процессов отпирания тиристоров или на синхронизацию этих процессов. [42]
 |
Схема электрическая принципиальная транзисторного коммутатора ТК107 и катушки зажигания. [43] |
С начала отпирания транзистора усиливается ток в первичной обмотке катушки, что вызывает рост напряжения в управляющей обмотке и, следовательно, тока базы транзистора, т.е. его дальнейшее открывание до насыщения. Когда первичный ток достигнет своего установившегося значения, напряжение в управляющей обмотке уменьшится до нуля и транзистор закроется. В дальнейшем процессы отпирания и запирания повторяются с определенной частотой. [44]
Второй этап процесса отпирания характеризуется тем, что инерционность процессов на коллекторном переходе в течение данного интервала определяется уже не зарядными процессами в обедненном слое коллекторного p - n - перехода, а диффузионными процессами в базе. Процесс установления напряжения на эмиттер-ном переходе в течение второго интервала определяется в основном зарядом емкости обедненного слоя эмиттерного р-п-перехода Сэо наведенным диффузионным током. Данный интервал процесса отпирания характеризуется наличием экстремума напряжения на промежутке эмиттер-коллектор. [45]
Страницы: 1 2 3 4