Процесс - рассасывание
Cтраница 1
Процесс рассасывания имеет ту специфику, что поступление запирающего импульса A. ДЯб - Легко убедиться, что запирающий сигнал А. Поэтому при тех же значениях / д2 и Q ( 0) рассасывание в ключе-звезде происходит быстрее, чем в ключе ОЭ. [1]
Процесс рассасывания накопленных носителей происходит значительно медленнее процесса их накопления, поэтому именно процесс рассасывания и определяет частотные свойства большинства диодов. [2]
Процесс рассасывания избыточного заряда базы в данной схеме протекает весьма быстро даже при значительной глубине насыщения транзистора. Последнее объясняется особенностью схемы диодной связи ( см. гл. Здесь смещающие диоды, ведущие себя подобно заряженному конденсатору, обеспечивают большой рассасывающий обратный ток базы, замыкающийся через открытые входные диоды и транзисторы предыдущих элементов. В реальных схемах ДТЛ-элементов со смещающими диодами удается получить среднее время задержки порядка десятков наносекунд. [3]
 |
Ненасыщенный ключ. схема ( а, идеализированная вольт-амперная характеристика диода ( б, диаграммы импульсов ( в. [4] |
Процесс рассасывания избыточного заряда неосновных носителей в насыщенных транзисторах замедляет их выключение и снижает быстродействие ключей. С целью исключить насыщение применяют схемы ненасыщенных ключей. Идею построения ненасыщенного ключа иллюстрирует схема на рис. 2 - 10, а. Диод и источник Е0 образуют цепь нелинейной отрицательной обратной связи. [5]
Физически процесс рассасывания можно представить следующим образом. Транзистор 7 ( рис. 1) быстро выключается, что приводит к запиранию эмиттерного перехода транзистора Tz. Коллекторный переход в режиме насыщения смещен в прямом направлении и в базовой и коллекторной областях накапливается избыточный заряд. При рассасывании избыточного заряда коллекторный переход сохраняет прямое смещение. [6]
В процессе рассасывания коллекторный ток Т1 не меняется. [7]
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в области базы транзистора. В первый момент после изменения направления тока эмиттера концентрации неосновных носителей в базе около р-п-переходов эмиттера и коллектора велики. [8]
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в базе транзистора. В первый момент после изменения направления тока эмиттера граничные концентрации неосновных носителей в базе около р-п-пере-ходов эмиттера и коллектора велики: они превышают значение равновесной концентрации неосновных носителей. [9]
 |
Пояснение скачкообразного изменения тока коллектора из-за изменения полярности падения напряжения на объемном сопротивлении базы при изменении направления тока эмиттера. [10] |
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в базе транзистора. В первый момент после изменения направления тока эмиттера граничные концентрации неосновных носителей в базе около р-и-пере-ходов эмиттера и коллектора велики: они превышают значение равновесной концентрации неосновных носителей. [11]
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в области базы транзистора. [12]
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. [13]
После окончания процесса рассасывания в Т2 входное сопротивление / ВХЭ2 резко возрастает, что приводит к росту падения напряжения на гвхэ. [14]
Для описания процесса рассасывания дается одна постоянная времени, по существу совпадающая с Тбн. [15]
Страницы: 1 2 3 4