Процесс - рассасывание
Cтраница 2
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. Коллекторный ток уменьшается от значения / кн, стремясь к уровню / Каж2 с постоянной времени Ээ. Процесс уменьшения коллекторного тока от / кп до / ко, близкого к нулю, происходит весьма быстро, особенно при большом запирающем токе базы. Длительность этого процесса составляет лишь малую долю от длительности среза выходного импульса; существенно большую длительность имеет процесс заряда емкости Ск. После отсечки коллекторного тока эта емкость продолжает заряжаться от источника Е через RK. [16]
Для анализа процесса рассасывания воспользуемся опять уравнением заряда, но в форме ( 15 - 28а), в которой учтен отличный от нуля начальный заряд. [17]
По окончании процесса рассасывания происходит быстрое уменьшение коллекторного тока выходного транзистора и начинает повышаться выходное напряжение. Время перехода / 01 пропорционально постоянной времени R2CK и почти не зависит от других параметров. Напомним, что емкость Сн значительно слабее ( в Р2 раз) влияет на время перехода tl, так как при этом она быстро разряжается большим коллекторным током открывшегося выходного транзистора. [18]
По окончании процесса рассасывания избыточного заряда в области базы происходит открывание транзистора VT2 за счет действия ПОС. [19]
Для ускорения процесса рассасывания избыточных носителей при переключении транзистора из открытого состояния в запертое ( см. Время рассасывания) часто сопровождают такое переключение сменой полярности напряжения на эмиттерном переходе. При этом в цепи базы возникает запирающий ток ( он имеет направление, обратное току, открывающему транзистор) Отношение величины запирающего тока к току базы, переводящему рабочую точку транзистора из активной области на границу области насыщения, называют К. [20]
Для ускорения процесса рассасывания избыточных носителей при переключении транзистора из открытого состояния в запертое ( см. Время рассасывания) часто сопровождают такое переключение сменой полярности напряжения на эмиттерном переходе. [21]
 |
Зависимость тока управления, необходимого для выключения тиристора, от общего тока через тиристор ( а и структура трехэлектрод-ного тиристора ( б. [22] |
Для ускорения процесса рассасывания неравновесных носителей заряда в базах необходимо понизить потенциальный барьер коллекторного перехода. Однако коллекторный переход при прохождении тока через открытый тиристор до переключения уже был включен в прямом направлении из-за накопленных неравновесных носителей заряда в базах и, следовательно, имел низкое сопро - тивление. Поэтому на долю коллекторного перехода при переключении тиристора на обратное напряжение приходится малая часть всего внешнего напряжения и, значит, практически не происходит понижения высоты потенциального барьера этого перехода. Кроме того, наличие барьерной емкости также препятствует быстрому изменению напряжения на р-п-переходе. [23]
 |
Зависимость времени выключения тиристора От величины обратного напряжения.| Зависимость тока управления, необходимого для. [24] |
Для ускорения процесса рассасывания неравновесных носителей заряда в базах необходимо понизить потенциальный барьер коллекторного перехода. Однако коллекторный переход при прохождении тока через открытый тиристор до переключения уже был включен в прямом направлении из-за накопленных неравновесных носителей заряда в базах и, следовательно, имел низкое сопротивление. Поэтому на долю коллекторного перехода при переключении тиристора на обратное напряжение приходится малая часть всего внешнего напряжения и, значит-практически не происходит понижения высоты потенциального барьера этого перехода. Кроме того, наличие барьерной емкости также препятствует быстрому изменению напряжения на р - / г-переходе. [25]
 |
Структура п - /. - я-траизистора с диодом Шоттки ( з к его эквивалентная схема ( б. [26] |
Для ускорения процесса рассасывания неосновных носителей заряда целесообразно ограничить их накопление. [27]
У дрейфовых транзисторов процесс рассасывания может осложниться тем, что при достаточно большом запирающем токе / g2 рассасывание основного заряда из активной и пассивной областей базы заканчивается весьма быстро, а задержавшийся заряд электронов, накопившихся в коллекторе ( см. стр. Для того чтобы избежать этого явления, нужно обеспечить достаточную длительность запирающего импульса. [28]
У дрейфовых транзисторов процесс рассасывания может осложниться тем, что при достаточно большом запирающем токе / g2 рассасывание основного заряда из активной и пассивной областей базы заканчивается весьма быстро, а задержавшийся заряд электронов, накопившихся в коллекторе ( см. с. [29]
При этом начинается процесс рассасывания накопленных в полупроводниковой структуре зарядов ( дырок и электронов), в процессе которого через тиристор протекает обратный ток, который после удаления зарядов уменьшается практически до нуля. Таким образом, получают принудительную ( искусственную) коммутацию управляемых вентилей. [30]
Страницы: 1 2 3 4