Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если мужчина никогда не лжет женщине, значит, ему наплевать на ее чувства. Законы Мерфи (еще...)

Процесс - рассасывание

Cтраница 4

При выводе этой формулы не разделялись процессы рассасывания неосновных носителей и формирований отрицательного фронта импульса, так как чаще всего имеет значение общее время закрывания.  [46]

Такая безреактивная туберкулино-терапия не способствует активации процессов рассасывания инфильтратов в больном глазу, не ведет к повышению общего иммунитета, но проявляется лишь усиленным накоплением токсинов в организме больного, от чего он делается еще более чувствительным. Опасно и слишком быстрое повышение доз туберкулина. При передозировках реакция в глазу делается все более бурной, пока не приведет к настоящей вспышке, иногда сопровождающейся и общей реакцией.  [47]

Зависимость коэффициента выключения анодного тока тиристора.  [48]

При достаточной амплитуде и длительности импульса управления процесс рассасывания зарядов в базах приводит к выходу коллекторного перехода из насыщения.  [49]

При достаточной амплитуде и длительности импульса управления процесс рассасывания зарядов в базах приводит к выходу их из состояния насыщения.  [50]

Зависимость от времени тока через диод ( а, напряжения на базе ( б, напряжения на р-я-переходе ( в и напряжения на диоде ( г при работе диода на больших импульсах тока в схеме с генератором тока, а также распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода в различные моменты времени при включении диода ( д и при выключении диода ( е.  [51]

После переключения диода на обратное напряжение начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе. Из-за ограничения обратного тока концентрация дырок в базе около о-и-перехода не может мгновенно уменьшиться до равновесного значения.  [52]

Зависимость от времени тока через диод ( а, напряжения на базе ( б, напряжения на р-л-переходе ( в и напряжения на диоде ( г при работе диода на больших импульсах тока в схеме с генератором тока, а также распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода в различные моменты времени при включении диода ( д и при выключении диода ( е.  [53]

После переключения диода на обратное напряжение начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе. Из-за ограничения обратного тока концентрация дырок в базе около р-я-перехода не может мгновенно уменьшиться до равновесного значения.  [54]

После переключения диода на обратное напряжение начинается процесс рассасывания неосновных носителей, в свое время накопленных в базе. Из-за ограничения обратного тока концентрация дырок в базе около p - n - перехода не может мгновенно уменьшиться до равновесного значения.  [55]

Зависимости or времени тока через диод ( а, напряжения на базе ( б, напряжения на р - - переходе ( в и напряжения на диоде ( г при работе диода на больших импульсах тока в схеме с генератором тока, а также распределение концентрации неосновных носителей в базе диода в различные моменты времени при включении диода ( д и при выключении диода ( е.  [56]

После переключения диода на обратное напряжение начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе. Из-за ограничения обратного тока концентрация дырок в базе около р-и-перехода не может мгновенно уменьшиться до равновесного значения.  [57]

Страницы:      1    2    3    4