Процесс - рассасывание
Cтраница 3
Это соотношение отражает процесс рассасывания неосновных носителей в базе транзистора, коллекторный переход которого все время смещен в обратном направлении. Bxi - дпь а затем запирается импульсом напряжения, который в течение времени рассасывания обеспечивает ток 13 П32 / ВХ2 - lmi. [31]
Это происходит вследствие процесса рассасывания неосновных носителей ( при подаче обратного напряжения), накопленных за время проте-каниятока в прямом направлении. Этот процесс рассасывания вызывает всплеск тока в противоположном направлении, причем величина всплеска значительно превышает установившуюся величину обратного тока. Время, в течение которого обратный ток диода приходит к установившемуся значению, называется временем восстановления обратного сопротивления диода. [32]
 |
Напряжение и ток диода при его отпирании.| Напряжение и ток диода при его запирании. [33] |
Это происходит вследствие процесса рассасывания неосновных носителей ( при подаче обратного напряжения), накопленных за время протекания тока в прямом направлении. [34]
На протяжении времени рассасывания процесс рассасывания соответствует фазе постоянного тока. [35]
Благодаря усилительным свойствам транзистора процесс рассасывания протекает быстрее, чем в сходных микросхемах ДТЛ. Это время, которое длится несколько наносекунд, ток во входной цепи существенно превышает тот, какой был рассчитан для статических условий. [36]
Через небольшой отрезок времени процесс рассасывания носителей электричества в базе заканчивается, напряжение на конденсаторе С возрастает до величины, при которой начинается его разряд через резистор Rc и обмотку w3, вызывающий запирание транзистора VT. Происходит форсированное запирание транзистора, при котором ток коллектора изменяется от установившегося значения до нуля, вызывая резкое уменьшение выходного напряжения. Так формируется срез выходного импульса. [37]
Мы можем определить окончание процесса рассасывания как Момент, когда коллектор перестает инжектировать носители. [38]
Для получения существенного ускорения процесса рассасывания неосновных носителей заряда необходима большая напряженность встроенного поля и в соответствии с (3.104) большой градиент концентрации примесей. [39]
При достижении зарядом значения Q6a процесс рассасывания будет окончен. [40]
При подаче запирающей ступеньки E6Z процессы рассасывания и формирования заднего фронта тоже протекают форсированно, с постоянной времени тс. [41]
После прекращения тока эмиттера начинается процесс рассасывания избыточных дырок, накопленных в базе за время действия прямого импулься. Рассасывание дырок происходит за счет их рекомбинации с электронами в объеме и на поверхности базы, а также за счет протекания дырочного тока коллектора и электронных составляющих через оба перехода. Этот процесс характеризуется двумя различными этапами. [42]
С приходом тактирующего импульса начинается процесс рассасывания неосновных носителей из области базы. Транзисторы, имеющие максимальную величину коэффициента усиления по току ( тах) и соответственно максимальное время жизни неосновных носителей в области базы в режиме насыщения ( Тцтал -), будут накладывать более жесткие условия на процесс рассасывания. Зная закон изменения uci, можно легко выразить ток базы и соответственно с помощью уравнения заряда [3.1] заряд дырок базы. [43]
 |
Схемы связи. [44] |
При этом длительность импульсов от процесса рассасывания почти не зависит, а длительность фронта при отпирании транзистора близка к предельно достижимой. [45]
Страницы: 1 2 3 4