Процесс - выращивание - кристалл
Cтраница 1
Процесс выращивания кристаллов этим методом можно проследить, обратившись к схеме установки, показанной на рис. 4.3. В процессе выращивания контролируют температуру тигля, скорость вытягивания кристалла из расплава и перемешивание расплава при вращении вытягиваемого кристалла или тигля. Конструктивные особенности установки призваны обеспечить требуемую форму тепловых полей вблизи границы роста, регулировать тепловые потери в области выхода кристалла из расплава и через зажимный патрон, держащий затравочный кристалл. [1]
Процесс выращивания кристаллов из газовой фазы может включать химические реакции, протекающие либо в газовой фазе, либо непосредственно на поверхности. Достоинством этого метода следует считать то, что он позволяет осуществить перенос в газовой фазе некоторых нелетучих веществ. Например, некоторые металлы легче испаряются и переносятся в виде галогенопроизводных или карбонильных соединений, так как для испарения и переноса их в виде чистых металлов необходима очень высокая температура. Химическим восстановлением или термическим разложением летучие металлические соединения превращаются на поверхности кристалла в металл. При получении полупроводниковых материалов большое значение имеет выращивание кристаллов кремния термическим разложением его летучих соединений. Летучие соединения кремния восстанавливают разными способами; один из лучших способов - восстановление SiCl4 водородом на поверхности монокристалла кремния. Образующиеся монокристаллические эпитаксиальные слои сохраняют ориентацию исходной поверхности и осаждаются без образования разрывов на поверхности раздела. Подобным же образом при взаимодействии паров Cd с парами H2S, Se, Те легко образуются кристаллы CdS, CdSe, CdTe. При смешении двух газовых потоков продукт реакции осаждается на холодных частях сосуда. [2]
В процессе выращивания кристаллов необходимо, чтобы кристаллизация происходила в условиях, наиболее близких к термодинамическому равновесию. [4]
В процессе выращивания кристаллов несоблюдение необходимых условий может вызвать образование линейных дефектов, перемещений ( дислокаций) целой группы частиц. К сложным искажениям кристалла относятся плоские дефекты, при наличии которых поликристаллические тела могут состоять из набора блоков, зерен, соединенных между собой и произвольно ориентированных. [5]
Важную стадию процессов выращивания кристаллов как из моно -, так и из многокомпонентных систем образует поверхностная реакция. Она может состоять из целого ряда подреакций, но даже безотносительно к особенностям последних геометрия растущей поверхности будет играть важную роль. [6]
Тосио и др., Процесс выращивания кристаллов, япон. [7]
 |
Выход двух граней 211 и одной 110 на боковой поверхности конуса расширения ИАГ, выращенного вдоль оси. Ув. 4. [8] |
В случае температурных флуктуации в процессе выращивания кристаллов наблюдается локальное появление гранных форм на боковой поверхности кристаллов. Согласно данным ряда исследователей, легирование монокристаллов различными примесями ведет к изменению их габитуса. [9]
Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. [10]
 |
Краевые ( а и винтовые ( б дислокации и плоские дефекты ( в кристалле в. [11] |
Как правило, дислокации образуются в процессе выращивания кристалла или при его механической и термической обработке. [12]
 |
Кристаллы, полученные методом сублимации.| Сросток политипов 6Я и 10Я. [13] |
Применение такой методики создает возможность увеличения производительности процесса выращивания кристаллов. [14]
Для выявления роли сил поверхностного натяжения в процессе выращивания кристаллов из расплава необходимо знать равновесную форму поверхности, обусловленную действием сил поверхностного натяжения не только на свободной границе расплава, но и на границе кристалл - расплав. [15]
Страницы: 1 2 3 4