Процесс - выращивание - кристалл
Cтраница 2
Изготовление р - n - переходов в процессе выращивания кристаллов осуществляется введением акцепторных примесей в состав исходного материала в виде карбида алюминия, порошкообразного бора, карбида бора либо введением в процессе выращивания кристаллов в атмосферу печи таких летучих соединений, как хлорид алюминия, хлорид бора, трифторид бора, триэтилалюминий и другие, что обеспечивает рост кристаллов р-типа электропроводности. Запуск в атмосферу печи азота на последней стадии выращивания кристаллов позволяет инвертировать тип электропроводности поверхностных слоев. [16]
Накопленный к настоящему времени экспериментальный материал показывает, что процесс выращивания кристаллов кварца принципиально может быть организован в широком диапазоне давлений, начиная приблизительно от 15 МПа. При этом чем выше давление, тем шире благоприятная для осуществления процесса температурная зона растворимости. [17]
Это можно объяснить тем, что при введении избытка мышьяка в процессе выращивания кристаллов, вероятно, ликвидируются структурные дефекты в анионной части решетки, которые могут служить центром рассеяния дырок, так как, по мнению авторов [6], дырки движутся в анионной части кристаллической решетки. [18]
Концентрация примеси или активатора сильно зависит от того, как протекает затвердевание в процессе выращивания кристалла из жидкой фазы. При нормальной кристаллизации посредством консервативного процесса в начальный период роста весь материал представляет собой жидкую фазу и твердая фаза кристаллизуется из жидкости на определенной поверхности в пересыщенном растворе. В итоге граница раздела между твердой и жидкой фазами перемещается через расплав контролируемым образом. [19]
Электронно-дырочные переходы в монокристаллах карбида кремния могут быть получены различными методами: в процессе выращивания кристаллов методом сублимации, методом жидкостной эпитаксии, методом газовой эпитак-сии, вплавлением, ионной имплантацией, методом диффузии из газовой фазы. [20]
Последовательное введение акцепторных и донорных примесей позволяет получать р - n - переходы в процессе выращивания кристаллов с контролируемой концентрацией примесей в р - и - областях. Этот способ представляет также интерес с точки зрения создания транзисторных структур. [21]
Последовательное введение акцепторных и донорных примесей позволяет получать р - n - переходы в процессе выращивания кристаллов с контролируемой концентрацией примесей в р - и п-обла-стях. Этот способ представляет также интерес с точки зрения создания транзисторных структур. [22]
 |
Распределение удельно.| Схема метода Бриджмена. ] - тигель с расплавом. 2 - кристалл. 3 - печь. 4 - холодильник. 5 - термопара. [23] |
Другой метод состоит в том, что содержание примесей в расплаве поддерживается постоянным в процессе выращивания кристалла путем непрерывного питания расплава материалом с тем же содержанием примесей ( того же состава), какое нужно получить в выращиваемом монокристалле. Это может быть осуществлено либо непрерывным расплавлением поли-крпсталлич. [24]
Все источники оптических искажений активных элементов могут быть разбиты на две группы: искажения, появляющиеся в процессе выращивания кристалла ( були) из-за несовершенств технологии роста и в процессе изготовления активных элементах под воздействием нагрева источником накачки. [25]
Разработанная система автоматического регулирования температуры печи позволяет поддерживать температуру в рабочей зоне с точностью 2 С в течение процесса выращивания кристаллов. [26]
Масочное ПЗУ ( ROM - от Read Only Memory) - ПЗУ, информация в которые записывается с фотошаблона в процессе выращивания кристалла. [27]
Другой метод, не требующий применения ненормальных скоростей выращивания и, следовательно, более рациональный, состоит в том, что содержание примесей в расплаве поддерживается постоянным в процессе выращивания кристалла путем непрерывного питания расплава материалом с тем же содержанием примесей ( того же состава), какое нужно получить в выращиваемом монокристалле. Это может быть осуществлено либо непрерывным расплавлением поликристаллического слитка одинакового с выращиваемым кристаллом диаметра путем погружения его в расплав с той же скоростью, с какой выращивается кристалл, либо другими подобными способами. Из предложенных вариантов наиболее заслуживающим внимания является метод с плавающим тиглем в расплаве. [28]
Наиболее перспективными в практическом отношении были работы на ПКК Мир по созданию защиты против вибраций - высокочастотных микроускорений, сказывающихся на физических явлениях в жидкой фазе и отрицательно влияющих на процессы выращивания кристаллов. [29]
Изготовление р - n - переходов в процессе выращивания кристаллов осуществляется введением акцепторных примесей в состав исходного материала в виде карбида алюминия, порошкообразного бора, карбида бора либо введением в процессе выращивания кристаллов в атмосферу печи таких летучих соединений, как хлорид алюминия, хлорид бора, трифторид бора, триэтилалюминий и другие, что обеспечивает рост кристаллов р-типа электропроводности. Запуск в атмосферу печи азота на последней стадии выращивания кристаллов позволяет инвертировать тип электропроводности поверхностных слоев. [30]
Страницы: 1 2 3 4