Процесс - выращивание - кристалл
Cтраница 3
Различными авторами [3, 4] показано, что амфотерное поведение кремния и германия в GaAs зависит от числа вакансий на местах Ga и As и его можно контролировать изменением давления паров мышьяка в процессе выращивания кристаллов. [31]
По технологии изготовления различают сплавные транзисторы, электронно-дырочные переходы которых изготовляют путем вплавления ( как у сплавных диодов), диффузионные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем диффузии в вакууме ( аналогично диффузионным диодам), выращенные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзис-торы и планарные транзисторы. [32]
В заключение укажем, что достижение перечисленных и ряда других технически изощренных результатов оказалось и оказывается возможным благодаря разработке более совершенных процессов синтеза исходных веществ и шихтовых материалов с заданными стехиометрией и гранулометрией ( включая форму и характеристики поверхности частиц шихт), широкому применению и технологии керамики горячего и изостатического прессования, существенному прогрессу в автоматизации процессов выращивания кристаллов, а также резкому улучшению процессов формообразования рабочих элементов, таких, как прецизионная размерная обработка, ионная, электронная и лазерная обработка, литография субмикронного разрешения, специальные приемы текстурировапия, поляризации и монодоменизации и ряд других. [33]
Выращивание кристаллов - это сложный физико-химический процесс, течение которого зависит от многих самых разнообразных факторов. Процессы выращивания кристаллов рассматриваются с двух разных точек зрения. Физики в первую очередь интересуются механизмом роста кристаллов. Для этого они расчленяют сложный и многообразный процесс на отдельные конкретные задачи, каждую из которых можно решить без связи с остальными при помощи адекватной модели, которую можно охарактеризовать и исследовать математически. [34]
Обычно процесс выращивания кристалла представляет собой осаждение атомов на монокристаллические поверхности при таких условиях, чтобы поступающие атомы могли свободно передвигаться и образовывать трехмерную периодическую структуру. [35]
Источником таких загрязнений являются необходимый для реализации метода Чохральского кварцевый тигель с расплавом кремния и графитовый нагреватель. На протяжении всего процесса выращивания кристаллов они, естественно, не вступают в контакт с воздухом. Весь процесс идет в среде защитного инертного газа. Благодаря отсутствию тигля зонная плавка позволяет существенно уменьшить содержание примесей кислорода и углерода. Кислород даже оказывает положительное действие: с его помощью удается нейтрализовать вредное влияние атомов тяжелых металлов. Этот эффект носит название ( внутреннее) геттерирование. [36]
 |
Схема образования дислокаций. [37] |
В действительности СДЕНГ вовсе не является необходимым. Случайные нарушения в процессе выращивания кристаллов, например, также приводят к возникновению дислокаций. [38]
Гетерогенными химическими равновесиями называют равновесные состояния для реакций, участники которых находятся в нескольких фазах. К ним относятся все процессы выращивания кристаллов, в которых вещества, образующие кристалл, выделяются на поверхности кристаллической затравки в результате химической реакции газообразных компонентов реакции. [39]
Развиваемые в гидромеханике представления о пространственных эффектах конвекции в расплавах - о концентрационных и температурных неоднородностях, о возникновении несимметрии и колебаний - не только помогают интерпретировать результаты исследований микро - и макронеоднородностей в монокристаллах, выращиваемых методами НК в условиях микрогравитации, но и в принципе позволяют предсказывать ожидаемые результаты при изменении условий тепломассопереноса в расплаве. Развивается численное моделирование для ряда процессов выращивания кристаллов на конкретных установках, в том числе и на наземных. [40]
 |
Схема системы автоматического регулирования процесса выра. [41] |
На рис. 145 показана принципиальная схема автоматического регулирования процесса выращивания кристаллов. Сигнал, возникающий на выходе детектора, усиливается прибором 5 и попадает в преобразователь 6, где непрерывно сравнивается с сигналом, поступающим от эталонного устройства. Скорость кристаллизации задают скоростью перемещения источника и связанного с шш детектора излучения. [42]
Камере выращивания создается давление до 1 72 - 10s Па и при необходимости обеспечивается поток газа в количестве до 50 л / мин. Наиболее важной задачей вакуумно-газовой системы является обеспечение максимальной чистоты процесса выращивания кристаллов. [43]
Методом Чохральского выращивают достаточно крупные монокристаллы граната высокой оптической однородности, прежде всего для лазерной техники. К достоинствам этого метода следует отнести возможность визуального наблюдения за процессом выращивания кристалла, извлечения кристалла из расплава на любом этапе выращивания, изменения геометрической формы кристалла в процессе выращивания, автоматизации процесса выращивания кристалла. [44]
Но прежде, чем приступить к работе, давайте посмотрим, что представляет собой процесс выращивания кристаллов. [45]
Страницы: 1 2 3 4