Процесс - выращивание - кристалл
Cтраница 4
 |
Распределение сурьмы в монокристаллах германия, выращенных. [46] |
Обогащение расплава примесью ( при К) является причиной закономерного изменения состава кристалла. Поэтому наиболее эффективными методами получения однородных кристаллов могут быть те, которые позволят управлять составом расплава во время процесса выращивания кристалла. [47]
Дефекты активных элементов могут носить различный характер. Во-вторых, различные химические примеси в матрице кристалла, появляющиеся как на этапе приготовления исходных химических компонент кристалла ( шихты), так и в процессе выращивания кристалла. Наиболее распространенной химической примесью является железо, дающее дополнительное поглощение света в кристалле. Подобный вид искажений может быть заметно уменьшен за счет улучшения технологии процессов. [48]
Методом Чохральского выращивают достаточно крупные монокристаллы граната высокой оптической однородности, прежде всего для лазерной техники. К достоинствам этого метода следует отнести возможность визуального наблюдения за процессом выращивания кристалла, извлечения кристалла из расплава на любом этапе выращивания, изменения геометрической формы кристалла в процессе выращивания, автоматизации процесса выращивания кристалла. [49]
В этом случае давление пара РЬТе определяет значение х, а давление пара теллура - отклонение от стехиометрии. Однако на практике часто используют более упрощенную методику двух-температурного отжига, при которой фиксируют температуру кристалла и давление пара только одного компонента, либо металла, либо теллура. В процессе выращивания кристаллов из газовой фазы также имеется возможность управлять концентрацией собственных дефектов. [51]
Естественное желание предотвратить испарение расплава слюды привело к идее использования герметичного контейнера и, как следствие - к аппаратурному оформлению процесса методами направленной кристаллизации в горизонтальном или в вертикаль -; ном вариантах. Бриджмена - Стокбаргера, пользуются все исследователи, которым удавалось получить на затравку удовлетворительные по качеству пластины фторфлогопита. Публикаций, достоверно описывающих процесс выращивания кристаллов фторфлогопита на затравку, не имеется, если не считать отрывочных сведений. [52]
Страницы: 1 2 3 4