Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Когда-то я думал, что я нерешительный, но теперь я в этом не уверен. Законы Мерфи (еще...)

Введение - примесь

Cтраница 1

Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. Так как EikT, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для того, чтобы перебросить электроны примесного уровня в зону проводимости; образующиеся при этом положительные заряды локализуются на неподвижных атомах мышьяка и в проводимости не участвуют.  [1]

Зависимость временного сопротивления разрыву ь, модулей упругости. у и сдвига. м и удельного электрического сопротивления р от диаметра D неотожженной вольфрамовой проволоки.  [2]

Введение примеси ( оксида тория) значительно увеличивает прочность при высоких температурах благодаря замедлению процесса рекристаллизации.  [3]

Введение примесей ( в основном углерода) не изменяет кинетики растворения железа, однако скорость выделения водорода увеличивается примерно на порядок.  [4]

Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. Так как ED - kT, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для того, чтобы перебросить электроны примесного уровня в зону проводимости; образующиеся при этом положительные заряды локализуются на неподвижных атомах мышьяка и в проводимости не участвуют.  [5]

Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем.  [6]

Введение примесей в бездефектный чистый кристалл способствует образованию зародышей новой фазы и облегчает фазовый переход метастабильной матрицы.  [7]

Фазовая р - Т - диаграмма углерода. j - область синтеза алмаза с применением металлов - растворителей-катализаторов ( la - область выращивания крупных кристаллов на затравку. s - область экспериментальных работ по превращению графита в алмаз статическим методом при прямом переходе. s, t - области экспериментальных работ по превращению графита в алмаз динамическим методом ( Г - метод фирмы Дюпон. 4 - область экспериментальных работ по кристаллизации алмаза из расплавленного углерода. 5 - область изучения некаталитического превращения в алмаз элементарного углерода, находящегося в различных состояниях, и органических соединений. в - область образования лосдейлита. - область кристаллизации алмааа в метастабильных условиях. Г - тройная точка графит - алмаз - жидкий углерод. Т - предполагаемая тройная точка жидкий углерод - алмаз.  [8]

Введение примесей в исходную шихту позволяет изменять цвет синтетич.  [9]

Введение примесей в исходную пластину полупроводника или в эпитаксиальный слой называется легированием полупроводника примесью. В полупроводниковой технологии применяются два способа легирования: диффузия и ионная имплантация.  [10]

Зависимость прокаливаемости от величины критической скорости закалки.  [11]

Введение примесей, препятствующих росту зерна аустенита, способствует увеличению критической скорости закалки и уменьшению прокаливаемости.  [12]

Введение примесей в объем полупроводника ( или на его поверхность) вызывает изменение его каталитической активности. Это есть следствие того, что введение примесей приводит к сдвигу уровня Ферми, что в свою очередь вызывает ускорение или замедление реакции.  [13]

Введение примесей изменяет облик кристаллов до игольчатого, но редко меняет огранку. Удобен для изучения процессов расщепления, которое легко проявляется для граней призмы.  [14]

Введение примесей Zn, Hg, In, Sb, Bi, Se, S, Те в CdP2 не приводит к улучшению фотоэлектрической чувствительности. Спектральное распределение фоточувствительности CdP2, легированного различными примесями, приведено на рис. III.22 ( кривые: 1 - 1 вес.  [15]

Страницы:      1    2    3    4