Введение - примесь
Cтраница 4
При введении примеси более высокой концентрации вакансии в тонком приповерхност ном слое оказываются в основном заполнены атомами примеси, поэтому главным механизмом диффузии становится диффузия по междууз-лиям. [46]
 |
Донорные и акцепторные локализованные уровни ( а. Плотность состояний как функция энергии при слабом ( б и сильном ( в, ( г легировании. [47] |
Во-вторых, введение примеси в полупроводник, как правило, сопровождается увеличением числа свободных носителей в кристалле. Атомы решетки оказываются как бы погруженными в электронный газ ( плазму), который экранирует и ослабляет взаимодействие между электрическими зарядами кристалла. Поэтому основные зоны полупроводника смещаются, ширина запрещенной зоны обычно уменьшается. [48]
Следовательно, введение примесей облегчает зародышеобразование и ускоряет ход кристаллизации в целом, что находит широкое использование в практике. Затравка оказывается эффективной тогда, когда имеется определенное соответствие между ее структурой и структурой выделяющихся кристаллов. [49]
Одновременно с введением примесей в полупроводнике образуется большое количество дефектов в активной области, что ведет к значительным потерям излучения. Кроме того, дефекты могут образовывать энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. [50]
Чаще пользуются введением примесей путем диффузии с поверхности. [51]
Поскольку при введении примесей в металл величина р0 возрастает, увеличение их содержания приводят как к уменьшению хе, так и к смещению максимума в сторону более высоких температур. Температура, при которой наблюдается максимум, зависит также от дебаевской температуры металла, причем обычно она повышается с возрастанием в. [52]
 |
Номограммы - решения уравнения электронейтральности для Na0, Nd W см-3 ( 1. 10 ( 2. 1018 ( 3. 1019 см-3 ( 4. [53] |
Согласно (14.69), введение примеси в полупроводник уменьшает параметр нелинейности тем больше, чем больше концентрация доноров и акцепторов, постоянные рекомбинации и глубины залегания уровней 8d и еа. Глубины залегания определяют в значительной степени населенности примесных уровней и интенсивность примесной люминесценции. [54]
 |
Структура сплавного транзистора. [55] |
Если при сплавлении введение примесей в кристаллическую решетку полупроводника связано с кристаллизацией из жидкого состояния, то легирование полупроводникового кристалла путем диффузии не сопровождается изменением его фазового состояния. [56]
Диффузия как метод введения примесей в полупроводник и изготовления электронно-дырочных переходов имеет первостепенное значение в технологии полупроводниковых приборов. Методы диффузии позволяют в очень точных пределах контролировать расположение переходов, концентрацию и градиент концентрации примесей, а воспроизводимость и гибкость диффузионных процессов делают их более предпочтительными по сравнению, например, с перекристаллизацией. [57]
После завершения процессов введения примесей полупроводниковые кристаллы диодов и транзисторов помещают в специальные герметичные корпуса, снабженные проволочными вводами. [58]
Одним из методов введения примесей является кристаллизация из растворов. Таким образом, задача внедрения примесей сводится к выяснению закономерностей сокристаллизации макропримесей. [59]
Этого можно достичь введением примесей, которые обеспечивают появление вблизи середины запрещенной зоны энергетической диаграммы полупроводника энергетических уровней ре-комбинационных ловушек. Для кремния такой примесью, в частности, является золото. Однако с уменьшением времени жизни неосновных носителей заряда в толстой высокоомной базе увеличивается падение напряжения на ней и на тиристоре в открытом состоянии. Уменьшение же толщины базы приводит к уменьшению напряжения включения. Поэтому при конструировании тиристоров приходится искать компромиссное решение. [60]
Страницы: 1 2 3 4