Cтраница 2
Введение примесей Mo, Cr, Si, Mn повышает удельное сопротивление. [16]
![]() |
Схема образования и заполнения дырок.| Схема образования электронной.| Схема образования дырочной проводимости при введении примеси бора в кристалл кремния. [17] |
Введением примеси можно во много раз увеличить проводимость полупроводника и придать ему резко выраженный электронный или дырочный характер. [18]
![]() |
Схема образования электронной примесной проводимости.| Схема образования дырочной примесной проводимости. [19] |
Введением примеси ( легированием) можно резко увеличить проводимость кристалла. [20]
Введением примеси можно ускорить одно направление и затормозить другое. [21]
![]() |
Упрощенная схема прохождения тока через полупроводник с дырочной проводимостью. [22] |
Введением примеси небольшого количества атомов некоторых веществ можно нарушить равенство количеств свободных электронов и дырок и получить преобладание носителей заряда одного из видов при значительном увеличении электропроводности. [23]
Иногда введение примеси с меньшим показателем приводит к появлению на кривой показателя преломления максимума вследствие химического взаимодействия с основным веществом. Наиболее распространенным примером этого рода может служить примесь воды к простейшим спиртам, аминам и гидразинам, с которыми она образует непрочные гидраты. [24]
Однако введение примесей не приводит к созданию инверсной заселенности ни между зонами, ни внутри них. Избыточные носители ( электроны) в зоне проводимости находятся в тепловом равновесии с дырками донорных уровней. Аналогично избыточные дырки в валентной зоне уравновешиваются электронами, находящимися на акцепторных уровнях. Особое положение имеет место в случае использования полупроводника с р - / г-переходом. [25]
После введения примесей припаивается второй вывод со стороны дырочной области германия и диод фактически готов. [26]
Почему введение примесей мало сказывается на удельной проводимости пиролизатов. [27]
Для введения примеси, создающей определенный тип проводимости, между затравкой и слитком помещают таблетку лигатуры. Затем, подобно тому как это делается при зонной плавке, в конце слитка, в непосредственном контакте с затравочным кристаллом, создают расплавленную зону. Зона перемещается с определенной скоростью вдоль загрузки, оставляя позади себя монокристаллический слиток. [28]
Иногда введение примеси с меньшим показателем приводит к появлению на кривой показателя преломления максимума вследствие химического взаимодействия с основным веществом. Наиболее распространенным примером этого рода может служить примесь воды к простейшим спиртам, аминам и гидразинам, с которыми она образует непрочные гидраты. В этих случаях, разумеется, соотношения ( 11 2 - 3) совершенно неприменимы и удаление последних остатков воды будет сопровождаться понижением ( а не повышением) показателя преломления. [29]
Иногда введение примеси с меньшим показателем приводит к появлению на кривой показателя преломления максимума вследствие химического взаимодействия с основным веществом. Наиболее распространенным примером этого рода может служить примесь воды к простейшим спиртам, аминам и гидразинам, с которыми она образует непрочные гидраты. [30]