Введение - примесь
Cтраница 3
Поэтому введение примеси в кристалл всегда должно сопровождаться снижением его свободной энергии, и, следовательно, чистая фаза должна быть термодинамически неустойчивой, когда она находится в контакте с посторонними фазами. [31]
Процесс введения примесей в германий называют легированием. Промышленный германий легируют металлургическим способом - переплавкой с добавлением необходимого количества донорных или акцепторных элементов. [32]
 |
Схема подачи газа при использовании фосфина, арсина или диборана в качестве источника диффузанта. [33] |
Процесс введения примесей того или иного типа проводимости для создания заданной глубины р-п перехода определяется взаимозависимостью между временем, температурой и концентрацией примесей в газе-носителе и электрофизическими параметрами пластин. При окислительной диффузии кремниевые пластины загружаются в печь в потоке азота, содержащего кислород. [34]
С введением примесей все полупроводниковые материалы свою проводимость увеличивают, причем с введением в полупроводник пятивалентной, донорной примеси в нем устанавливается электронная ( п-ти-па) примесная проводимость. [35]
С введением примесей все полупроводниковые материалы свою проводимость увеличивают, причем с введением в полупроводник донор ной примеси в нем устанавливается только электронная ( я-типа) примесная проводимость. [36]
С введением примеси тантала индукционный период резко сокращается. В случае тантала заметной зависимости степени влияния от сх не наблюдается. Так как величина / ind непосредственно связана с зародышеобразованием, влияние примесей тоже относится к этой стадии кристаллизации. [37]
При введении примесей в атмосферу применяющиеся для ускоренных испытаний камеры усложняют, а растворы для распыления выбирают более агрессивные. Во влажных камерах в этом случае производят распыление не дистиллированной воды, а растворов хлористого натрия. [38]
При введении примесей в ионные соединения необходимо различать два случая. [39]
При введении примесей в атмосферу применяющиеся для ускоренных испытаний камеры увлажняют, в растворы для распыления выбирают более агрессивные. Во влажных камерах в этом случае производят распыление не дистиллированной воды, а растворов хлористого натрия. [40]
При введении примеси, обладающей меньшей валентностью, чем материал кристалла, в его кристаллической решетке образуются избыточные дырки, которые ведут себя подобно положительной частице с единичным зарядом. [41]
 |
Энергетические схемы примесных полупроводников n - типа ( а и р-типа ( б. [42] |
При введении примесей уровень Ферми перемещается с середины запрещенной зоны в направлении к примесному уровню и его положение может существенно зависеть от температуры. [43]
При введении примеси соляной кислоты, мочевины наблюдается появление грани октаэдра. Хорошие кристаллы размером больше 1 см3 получить затруднительно. Обычны захват включений раствора, расщепление, блочность. При добавлении в насыщенный раствор нескольких капель этилового спирта наблюдается возникновение игольчатых ( нитевидных) и тонкопластинчатых кристаллов. [44]
 |
Распределение диффундирующей примеси по глубине. [45] |
Страницы: 1 2 3 4