Псевдоморфизм

Cтраница 1

Псевдоморфизм: Присоединенный слой искривленных соседних атомных плоскостей из-за их различной геометрии ( различных углов) в случае одинакового типа кристаллов - автотаксия; в случае чужеродных решеток ( разнотипные кристаллы) - эпи-таксия. [1]

Кристаллизация KJ на контакте биотита и мусковита. [2]

Понятие псевдоморфизм базисной плоскости было введено Финчем и Кво-реллом [57] при изучении механизма нарастания окисных пленок на некоторых металлах - Вслед за указанной работой появилось еще несколько исследований [58-61], авторы которых объясняли свои данные как результат изменения параметров решетки осадка до соответствия с параметрами решетки подложки. [3]

Механизм псевдоморфизма предполагает, что в соответствии с требованием минимальности межфазной поверхностной энергии атомы или молекулы конденсата продолжают кристаллическую решетку подложки, либо сохраняя ее симметрию, либо же при одинаковой симметрии сохраняя величину периодов решетки подложки в плоскости сопряжения. Эти отклонения от собственной симметрии или же от собственных значений периодов решетки вещества конденсата в нормальном ( равновесном) состоянии увеличивают запас упругой энергии ( повышают упругую деформацию) решетки, компенсируемый упомянутым выигрышем меж-фазной поверхностной энергии. [4]

Нарушенная от царапины структура подложки ( / с фрагментированными и искаженными зернами, сохраняющаяся в электроосажденноы слое ( 2 при сильной псевдоморфизме.| Блеск электроосажденного оловянного. [5]

Последствия псевдоморфизма менее желательны и обычно принимаются меры для их подавления. [6]

Развитию псевдоморфизма препятствуют добавки ингредиентов, которые путем адсорбции блокируют участки, на которых может происходить рост псевдоморфных кристаллов. На начальных стадиях нанесения блестящего гальванического покрытия блескообразующие добавки адсорбируются на аналогичных участках подложки. Если на отожженный никель наносить покрытие в ванне для блестящего никелирования, то рост осадка начинается с меньшего числа зародышей на подложке, чем в случае простой ванны ( Уоттса) без добавок. Реплики с поверхностей, соответствующих самым ранним стадиям электроосаждения, показывают наличие псевдоморфизма даже для покрытий, полученных в ваннах с блескообразователями ( границы зерен подложки продолжаются в гальваническое покрытие), но этот процесс быстро подавляется с ростом толщины покрытия. Основная цель ванн для осаждения блестящих гальванопокрытий состоит в том, чтобы задержать скорость роста осадка до величины, достаточной для подавления псевдоморфизма, но не настолько, чтобы ухудшить эпитаксию и адгезию. [7]

Хотя наличие псевдоморфизма при эндотаксии не является строго доказанным, мы в дальнейшем будем придерживаться-существующего мнения о регулярном сопряжении решеток новой и исходной фаз. [8]

Влияние вторичной дифракции на измерение параметров монослоев 55 ]. [9]

Неосновательными являются и другие примеры псевдоморфизма. [10]

Необходимо подчеркнуть, что явление псевдоморфизма нельзя смешивать с изменением параметров решетки осадка вследствие образования промежуточного слоя твердых растворов переменного состава или вследствие изменения решетки под влиянием некоторых примесей. Подобные примеры получены недавно Кор & тке [74] три конденсации железа и никеля на монокристалле меди. [11]

Однако многие исследователи [35] отрицают существование плоскостного псевдоморфизма. При этом они опираются на тщательный анализ опубликованных электронограмм и на свои наблюдения. Между прочим, указывается и на то, что структура ионных кристаллов ( окислов) значительно менее способна к искажению, чем решетка металлов, особенно на поверхности. Это делает плоскостной псевдоморфизм мало вероятным. Ввиду того, что по этому важному вопросу имеются противоречивые высказывания крупных исследователей [35, 36], приходится признать, что существование плоскостного псевдоморфизма является пока спорным. [12]

Необратимые ионообменные процессы играют также роль при псевдоморфизме минералов и гетерополярных комплексных солей тяжелых металлов. Упомянутые способы измерения псевдоморфизма были осуществлены Кренке, причем было показано, что они связаны с перегруппировкой или разрушением решетки, а также одновременно с трпохимическим обменом. Некоторые ионы влекут за собой особенно быструю перегруппировку решетки; новые элементарные тела действуют как зародыши для образования кристаллитов, которые иногда очень быстро достигают микроскопически видимых размеров. [13]

В критическом обзоре ГЬшли показано, что явление псевдоморфизма не имеет точного экспериментального подтверждения, так как многие исследователи представили доказательства против него. Недавно Джонс [70] при работе на эмиссионном микроскопе показал, что несколько первых атомных слоев меди, осажденной на вольфраме в высоком вакууме, являются псевдоморфными Шиллер и Фарнсворт [71] при исследовании с помощью метода дифракции электронов малой энергии такого слоя не обнаружили. Совсем недавно Джессер в Мэтьюз [72 - 75] провели изучение роста монокристаллических пленок железа и кобальта на поверхностях ( 100) меди, хрома на поверхностях ( 001) никеля при комнатных и повышенных температурах в высоком вакууме. Они подтвердили псевдоморфный рост железа, кобальта и хрома. Подробности исследований псевдоморфного роста приведены в разд. Хотя по исследованию явления псевдоморфизма работ и немного, однако существует достаточно доказательств того, что материал пленки становится напряженным, так что параметры ее решетки не точно соответствуют параметрам решетки соответствующего ненапряженного монокристалла. Измерения параметров решетки, проведенные Ньюманом и Пэшли [76], для меди, осажденной в вакууме, и химически выраженных пленок AgBr на подложках ( 111) серебра показали, что параметры решетки пленок и AgBr были на 0 75 и 0 50 % меньше, чем параметры соответствующего монокристалла. Эти результаты показывают, что напряжения изменяли параметры решетки пленки, приближая их к параметрам подложки. [14]

Существенное возражение против указанной выше интерпретации возникает, когда псевдоморфизм относится к произвольно ориентированному осадку на монокристаллической подложке. Если взаимодействие част иц осадка и подложки недостаточно для ориентированного роста, то тем более нет оснований для изменения параметров решетки произвольно растущих кристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5