Cтраница 5
Поверхностный слой, состоящий из двух совмещенных параллельно друг другу решеток различных веществ, можно рассматривать как кристалл с упорядоченной структурой. Такой слой аналогично упорядоченным твердым растворам даст дополнительные сверхструктурные линии на электронограммах, обусловленные различием атомных факторов веществ подложки и осадка. Таким образом, при уравнивании параметров в плоскости срастания тонкий слой осадка дает о себе знать по появлению запрещенных линий. В случае псевдоморфизма кубических гранецентрированных кристаллов наряду с отражениями, соответствующими индексам одинаковой четности, появляются рефлексы со смешанными индексами, для которых структурный множитель равен JS [ 2 F - F212, где F и F2 - атомные факторы срастающихся веществ. [61]
Развитию псевдоморфизма препятствуют добавки ингредиентов, которые путем адсорбции блокируют участки, на которых может происходить рост псевдоморфных кристаллов. На начальных стадиях нанесения блестящего гальванического покрытия блескообразующие добавки адсорбируются на аналогичных участках подложки. Если на отожженный никель наносить покрытие в ванне для блестящего никелирования, то рост осадка начинается с меньшего числа зародышей на подложке, чем в случае простой ванны ( Уоттса) без добавок. Реплики с поверхностей, соответствующих самым ранним стадиям электроосаждения, показывают наличие псевдоморфизма даже для покрытий, полученных в ваннах с блескообразователями ( границы зерен подложки продолжаются в гальваническое покрытие), но этот процесс быстро подавляется с ростом толщины покрытия. Основная цель ванн для осаждения блестящих гальванопокрытий состоит в том, чтобы задержать скорость роста осадка до величины, достаточной для подавления псевдоморфизма, но не настолько, чтобы ухудшить эпитаксию и адгезию. [62]