Псевдоморфизм

Cтраница 3

Эта модель для одномерного случая иллюстрируется схемой, представленной на рис. 1.16. По существу указанная модель предполагает наличие псевдоморфизма на поверхности раздела двух разных кристаллов. [31]

Октаэдрические кристаллы ( рис. 5, г) чаще встречаются в сростках, имеют гексагональную решетку, что свидетельствует о псевдоморфизме титана. [32]

Исследования поперечных микрошлифов покрытий, полученных в наиболее эффективно работающих ( с точки зрения получения блестящих покрытий) гальванических ваннах, не обнаруживают псевдоморфизма. [33]

В большинстве случаев эпитаксии, особенно при эпитаксии разнородных кристаллов с большим несоответствием решеток, например металлов и ионных соединений, более вероятно сопряжение двух неискаженных решеток без псевдоморфизма. Различие периодов решеток при этом компенсируется дислокациями несоответствия. [34]

Подробный анализ этих результатов, проведенный Пешли [55] и нами [13], показал, что во всех случаях эпитаксии, изученных в 1933 - 1944 гг., предположение о псевдоморфизме недостаточно обосновано, а полученные результаты либо ошибочны, либо неправильно истолкованы. [35]

Экспериментальные возражения против механизма Франка - Ван-дер - Мерве состоят в следующем: 1) ориентированный рост наблюдается не только при значениях А АКрит, но и при существенно большем различии параметров; 2) в большинстве случаев при росте образуются не сплошные слои осадка, а трехмерные зародыши; 3) псевдоморфизм в толстых слоях осадка экспериментально не обнаружен. [36]

Необратимые ионообменные процессы играют также роль при псевдоморфизме минералов и гетерополярных комплексных солей тяжелых металлов. Упомянутые способы измерения псевдоморфизма были осуществлены Кренке, причем было показано, что они связаны с перегруппировкой или разрушением решетки, а также одновременно с трпохимическим обменом. Некоторые ионы влекут за собой особенно быструю перегруппировку решетки; новые элементарные тела действуют как зародыши для образования кристаллитов, которые иногда очень быстро достигают микроскопически видимых размеров. [37]

Финчем и Саном, Раньше металловеды считали, что псевдоморфизм ( который они могли наблюдать) подразумевает и наличие эпитаксии ( которую они не могли видеть), поскольку границы зерен являются поверхностями, где меняется направление рядов атомов решетки. Если существует эпитаксия, то псевдоморфизм из нее следует. [38]

Здесь рассматриваются новые экспериментальные данные из работ, посвященных изучению периодов решеток тончайших адсорбированных и эпитаксиальных слоев с толщиной от 20 до нескольких межатомных расстояний. В этом случае вопрос о псевдоморфизме требует дополнительного анализа. [39]

Как упоминалось в разд. Франка и ван дер Мерве [.1] псевдоморфизм является необходимым этапом в процессе эпитаксиального роста. [40]

При малом несоответствии ( около 0 2 %) и сильном взаимодействии между атомами через поверхность раздела ( это означает, что модуль сдвига на поверхности раздела сравним с модулями сдвига кристаллов подложки и осадка) растущий слой упруго деформируется до соответствия с подложкой в слоях толщиной несколько сотен ангстремов. Если же величина А 4 %, то псевдоморфизм может наблюдаться в слоях толщиной несколько ангстремов. При дальнейшем росте в обоих случаях образуются дислокации несоответствия. [41]

Существует несколько теоретических моделей механизма роста кристаллических слоев на монокристаллической подложке. Впервые теория ориентированного роста на подложке ( теория псевдоморфизма) была предложена Франком и Ван-дер - Мерве в 1949 г. Согласно этой теории, система слой - подложка имеет минимальную энергию при близком соответствии параметров решеток первого моноатомного слоя растущей фазы и подложки. Цредпочтительно более полное совпадение этих параметров, даже если растущий слой в равновесных условиях имеет параметры решетки, значительно отличающиеся от параметров решетки подложки. По мере роста кристалла деформация решетки моноатомных слоев постепенно уменьшается. Образуется псевдоморфная фаза - переходный слой со структурой, искаженной главным образом за счет дислокаций несоответствия. Последующие слои имеют неискаженную решетку, роль подложки нивелируется. При этом эпитаксиальный слой сохраняет ориентацию подложки. [42]

Диффузия при эпитаксии может сказаться на периодах решетки как вследствие проникновения осаждаемого вещества в материал подложки, так и в результате диффузии вещества подложки в слой осадка. В обоих случаях экспериментальные наблюдения можно неправильно объяснить псевдоморфизмом. [43]

Значок ( штрих) относится к упругодеформированным кристаллическим решеткам после их регулярного сопряжения, при котором возникает соответствие по ориентировкам и уравнивание размеров сопрягающихся кристаллографических элементов. Заметим, что размерное соответствие, появляющееся в результате такого упругого псевдоморфизма, может возникать лишь при малых различиях в первоначальных размерах сопрягающихся кристаллографических элементов. [44]

Микрофотография хризотилового асбеста Стрелкой показана расколотая трубка.| Микрофотографии сажи. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5