Псевдоморфизм

Cтраница 2

Расположение атомов на поверхности раздела подложка ( 7-электролитическое покрытие ( 2, соответствующее. [16]

Финчем и Саном, Раньше металловеды считали, что псевдоморфизм ( который они могли наблюдать) подразумевает и наличие эпитаксии ( которую они не могли видеть), поскольку границы зерен являются поверхностями, где меняется направление рядов атомов решетки. Если существует эпитаксия, то псевдоморфизм из нее следует. [17]

Электронограмма от слоя РЬ на гладкой поверхности ( 111 Ag. Средняя толщина. [18]

Хотя в первой работе Шульц трактовал полученные данные как псевдоморфизм мономолекулярного слоя осадка, в дальнейшем [12] он от этого отказался, убедившись, что осадок всегда имеет свой естественный параметр. [19]

Индицирование электронограмм от слоев Al - Pt. [20]

Таким образом, и в этом случае предположение о псевдоморфизме оказывается неверным. [21]

Подчеркнем еще раз, что наблюдения Джессера и Метыоза по поводу псевдоморфизма в тонких слоях железа относятся к пленкам, сконденсированным при комнатной температуре. В этих условиях, как они показали, даже тонкий слой железа не должен диффузионно раствориться в медной пленке-подложке), и следовательно, наблюдаемый эффект нельзя объяснить образованием сплавов. [22]

Изменение параметра а в плоскости контакта с Pt отнесено за счет поверхностного псевдоморфизма. [23]

Действительно, в соответствии с рассмотренными ранее представлениями ван дер Мерве, псевдоморфизм в толстых слоях можно наблюдать в ограниченном числе случаев, когда несоответствие решеток мало. [24]

Иначе подходят к решению этого вопроса авторы ряда работ, посвященных критике идеи псевдоморфизма. Они считают, что при эпитаксии сохраняются естественные периоды решетки в плоскости раздела. [25]

Для них характерна унаследованная структура материнских пород, сохраняющаяся благодаря наличию псевдоморфоз ( см. Псевдоморфизм) каолинита и остаточным минералам. [26]

Относительные скорости окисления различных, граней монокристаллов. [27]

Объяснение анизотропии скорости окисления для тонких пленок, данное Роденом [21-23], основано на представлении о псевдоморфизме плоскости сопряжения. [28]

Для того чтобы объяснить характер сопряжений смежных атомных плоскостей двух различных веществ, было введено понятие о псевдоморфизме. Под этим термином понимается приспособление межатомных расстояний наращиваемого кристалла к межатомным расстояниям подложки. Это означало бы, что параметры первых слоев наращиваемого кристалла отличались бы от параметров объемных кристаллов того же вещества, причем разница между ними уменьшалась бы по мере увеличения числа слоев. [29]

Линейная модель дислокаций. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5