Псевдопотенциал

Cтраница 4

В более точной теории псевдопотенциала, содержащейся в приложении 4, показано, что псевдопотенциал является оператором. [46]

При подобной симметризации форм-факторов псевдопотенциала становится ясно, что антисимметричные форм-факторы в структуре алмаза обращаются в нуль. В полупроводниках III-V, у которых разница в потенциалах катиона и аниона мала, можно ожидать, что Vg будет меньше, чем Vg и, кроме того, Vg должно быть почти таким же, как у полупроводников соседней группы IV. Рассмотрим, например, форм-факторы псевдопотенциала в Ge и полупроводнике GaAs группы III-V, которые образуются из соседей по периодической таблице элементов. [47]

Например, атомные форм-факторы псевдопотенциала для Ga, найденные эмпирически для GaAs, могут быть использованы для расчета зонной структуры других соединений Ga, таких как GaSb и GaP. [48]

В последние годы метод псевдопотенциала аЪ initio был настолько усовершенствован, что стало возможным применять его для электронов наполовину заполненных оболочек, таких как Зб. [49]

Различные варианты сохраняющего норму псевдопотенциала сводятся к тому, что в качестве у берут такую функцию, которая вне остова совпадает с истинной валентной орбит ал ью 1 / ч, а внутри остова представляет собой безузловую функцию простого аналитического вида с параметрами. Эти параметры подбирают из условия непрерывности р вместе с первой производной и из условия нормировки р на единицу. Строго говоря, не может быть псевдовалентной орбиталью. [50]

Расчеты с помощью метода псевдопотенциала не связаны с допущением о периодическом характере межионного потенциала. Могут рассматриваться и такие случаи, когда ионы неупорядочены. При этом используются экспериментальные данные о радиальной функции распределения атомов жидких металлов. [51]

Зависимость отношения 6 V / V от расстояния и приведенной температуры.| Зависимость приведенного третьего вириального коэффициента от температуры для потенциалов Л еннард - Джонса 12 - 6 - Д 12 - 4 - 12 - 6 - 12 - 4 - 2 и соответствующих псевдопотенциалов - /, 2. [52]

Таким образом, использование псевдопотенциала Хилла значительно корректирует температурную зависимость вириальных коэффициентов в области их отрицательных значений, а, следовательно, вклады, обусловленные межчастичным притяжением в различные вириальные коэффициенты. Это в конечном итоге позволяет надеяться на значительное расширение границ устойчивости вириального уравнения состояния смеси в область больших значений плотности среды и более низких температур. [53]

Выражение (17.28) дает разность усредненных псевдопотенциалов k Wjk, взятых по обе стороны от границы раздела. В большинстве расчетов методом псевдопотенциала это усредненное значение считается константой. Чтобы получить относительное расположение зон по обе стороны от границы, в принципе нужно сделать расчет зон по обе стороны, учитывающий различие между усредненными псевдопотенциалами. Мы же просто воспользуемся уже имеющимися расчетами зонной структуры. Мы можем сделать оценку по теории возмущений и учесть только восемь компонент псевдопотенциала W f которые в ковалентных кристаллах являются самыми главными. [54]

Страницы: 1 2 3 4