Cтраница 1
Ионные пучки имеют большую плотность объемного заряда по сравнению с электронными пучками при равных значениях плотности тока и ускоряющего напряжения. [1]
Ионные пучки широко применяют для легирования полупроводников, так как они легко управляются с помощью электрических и магнитных полей. [2]
![]() |
Схема масс-спектрографа. [3] |
Кроме того, ионные пучки в анализаторе фокусируются так, чтобы ионы одной и той же массы, обладающие несколько различающимися энергиями или направлениями движения, попадали в одно и то же место приемного устройства, которым в масс-спектрографе является фотопластинка. [4]
Полученные в источнике ионные пучки ( сгустки) разделяются в электрических и магнитных полях или по времени пролета. [5]
![]() |
Ртутный кран с параллельно приключенным к нему капилляром. [6] |
В опытах с ионными пучками ( каналовые лучи, масс-спектрограф) в одной и той же разрядной трубке приходится иметь дело с областями разной плотности газа: в пространстве, где происходит разряд, давление порядка 10 - 3 - 10 - 2 мм Hg, в той части трубки, где производятся наблюдения над движением пучков ионов в так называемой закатод-ной части трубки, - возможно высокий вакуум. Разность давлений достигается непрерывной откачкой закатодной части мощным насосом через широкую трубку, в то время как узкая щель, через которую проходят ионные пучки и которая соединяет закатодную часть с остальной частью разрядной трубки, представляет собой большое сопротивление течению газа. В этих случаях нередко заставляют при помощи насоса высокого вакуума одни и те же порции газа непрерывно циркулировать через разрядную трубку. Насос перекачивает газ из области высокого вакуума в область разряда; сообщение с форвакуумом закрыто. [7]
Синтез и модифицирование ионными пучками висмутовых сверхпроводящих ультратонких пленок описаны в обзоре [28], содержащем 16 ссылок. [8]
Регистрировать можно либо одновременно все ионные пучки, выходящие из анализатора ( обычно - фотографич. [10]
В настоящее время обычно используют ионные пучки атомов Н, Не, Аг, Ne в широком интервале энергий. При относительно малых энергиях бомбардирующих ионных пучков ( ЮкэВ) наряду с прямым выбросом электронов из валентных зон облучаемого материала в вакуум большое значение имеют процессы оже-рекомбинации. [12]
Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины пленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии - был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании U3 с течением времени зарядки, причем время релаксации i определяется силой тока электронного пучка. [13]
Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины пленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании 1 / э с течением времени зарядки, причем время релаксации i определяется силой тока электронного пучка. [14]
Разработана аппаратура для обработки поверхностей ионными пучками. [15]