Дифракционные пятна

Cтраница 1

Принципиальная схема рент-генгониометра Вайссенберга. 1 - неподвижная ширма, пропускающая только один дифракционный конус. 2 - кристалл, поворачивающийся вокруг оси X - X. 3 - цилиндрич. фотопленка, двигающаяся поступательно вдоль оси X - X синхронно с вращением кристалла 2. 4 - дифракционный конус, пропущенный ширмой. 5 - первичный пучок. [1]

Дифракционные пятна на лауэграмме ( рис. 1, 6) располагаются по эллипсам, гиперболам и прямым, обязательно проходящим через пятно от первичного пучка. Важное свойство лауэграммы состоит в том, что при соответствующей ориентировке кристалла симметрия расположения этих кривых отражает симметрию кристалла. Поэтому метод Лауэ применяют исключительно для нахождения нужной ориентировки кристалла и определения его элементов симметрии. [2]

Светлые кружки - дифракционные пятна, появляющиеся в процессе адсорбции СО. [3]

В этом случае дифракционные пятна наблюдаются в местах пересечения этой плоскости с указанными выше кольцами. [4]

Дифракционное изображение от нескольких слоев молекул кислорода, адсорбированных на кристалле никеля. На электронограмме виден ряд диффузных пятен в 5-азимутальном направлении при их максимальной интенсивности. Снято при 130 в ( 1 07 А. [5]

Одновременно возникают новые и очень размытые дифракционные пятна, которые постепенно становятся более отчетливыми по мере ослабления изображения 2-структуры. [6]

Спектры оптического поглощения для пленок поли кристаллического кремния, осажденных при различных температурах подложки Т, С. [7]

На электронограммах от более тонких пленок поликристаллического кремния [26] отмечаются дифракционные пятна и гало, что указывает на совместное присутствие кристаллических и аморфных областей. С увеличением толщины пленки гало слабеют и на более толстых пленках исчезают. Кроме того, в более толстых пленках преобладает ориентация ( 100) вместо ( 111) в тонких пленках. Это обусловлено тем, что в процессе осаждения имеет место poet кристаллитов по механизму, подобному твердофазной эпитаксии, и кристаллические участки внедряются в аморфную область. Скорость роста в направлении 100 примерно в 3 и в 25 раз выше скорости роста в направлениях 110 или 111 соответственно. [8]

Спектры оптического поглощения для пленок поли кристаллического кремния, осажденных при различных температурах подложки Т С - 4. [9]

На электронограммах от более тонких пленок поликристаллического кремния [26] отмечаются дифракционные пятна и гало, что указывает на совместное присутствие кристаллических и аморфных областей. С увеличением толщины пленки гало слабеют и на более толстых пленках исчезают. Кроме того, в более толстых пленках преобладает ориентация 100 вместо 111 в тонких пленках. Это обусловлено тем, что в процессе осаждения имеет место рост кристаллитов по механизму, подобному твердофазной эпитаксии, и кристаллические участки внедряются в аморфную область. Скорость роста в направлении 100 примерно в 3 и в 25 раз выше скорости роста в направлениях 110 или 111 соответственно. [10]

Фотография не слишком четкая, но и на ней видны дифракционные пятна. [11]

Запись нескольких изображений на одной фотопластинке с изменением ориентации щели. [12]

При фотографировании объектив О диафрагмируется прямоугольной щелью, благо даря чему зерна спекл-структуры превращаются в дифракционные пятна малого размера, вытянутые в направлении, перпендикулярном длине щели. При регистрации второго изображения В изменяют ориентацию щели, расположенной перед объективом О. [13]

Ход лучей в двухконденсаторном трехступенчатом микроскопе. [14]

Так как электронная волна претерпевает небольшое преломление при входе в твердое тело и выходе из него, то дифракционные пятна в случае отражения отклоня-ются на большие углы, чем при дифракции на прохождение. [15]

Страницы: 1 2 3 4