Дифракционные пятна

Cтраница 4

Ваттса с определенными присадками, препятствует выявлению на электронограмме дифракционных колец или пятен поверхностных кристаллитов металлопокрытия. Появляется только изображение, характерное для аморфных слоев. При известных обстоятельствах под ним еще слабо обнаруживается структура покрытия. На рис. 38 а показано поведение, характерное для никелевого покрытия, полученного из электролита Ваттса с присадкой сахарина. На электронограмме наблюдаются слабо выраженные характерные для кристаллического вещества дифракционные пятна гальванического покрытия, имеющего волокнистое строение. [46]

Из (12.28) видно, что для объемных плазмонов полуширина углового распределения дается выражением Э ЙЕ. Для электронов с энергией 50 - 100 кэВ и характеристическими потерями АЕ от 10 до 20 эВ эта полуширина составляет величину порядка 10 - 4 рад. Ее можно сравнить с углом рассеяния приблизительно в 10 - 2 рад для первого брэгговского отражения для простых материалов. Таким образом, рассеяние плазмонами можно рассматривать как существенно малоугловое рассеяние, при котором дифракционные пятна слегка уширяются. С увеличением толщины образца многократные плазменные потери происходят все более часто и угловое распределение все более уширяется. [47]

Каждое зерно в поликристаллическом или частично упорядоченном образце, как правило, имеет кристаллографическую ориентацию, отличную от ориентации соседних зерен. В целом ориентация всех зерен может быть распределена статистически относительно некоторой выбранной системы отсчета. В таком случае рентгенограмма представляет собой однородные кольца, расположенные вокруг начала координат. Однако если ориентация зерен имеет тенденцию сгущаться в большей или меньшей степени вокруг какой-то определенной ориентации или ориентации, то вместо колец рентгенограмма содержит дуги или даже дифракционные пятна. [48]

Семейство дифракционных конусов. [49]

Допустим для простоты, что вдоль оси вращения располагается ось Z решетки кристалла. В главе IX было показано, что дифракционные лучи, создаваемые одним отдельно взятым рядом атомов, распространяются по образующим семейства коаксиальных конусов, растворы которых зависят от угла между падающим лучом и атомным рядом. X и У кристалла непрерывно меняются; меняются и растворы конусов двух соответствующих семейств. Угол же между падающим пучком и осью вращения, третьей осью - I, остается постоянным. Следовательно, остаются постоянными и растворы конусов, оси которых совпадают с осью Z. Все возможные линии одновременного пересечения ко - HVCOB ( дифракционные направления) должны проходить по образующим этих конусов. Пересечение конусов с фотопленкой, свернутой цилиндром вокруг оси вращения, дает семейство окружностей ( рис. 121), на которых располагаются дифракционные пятна. На распрямленной пленке пятна сказываются расположенными на параллельных прямых, называемых слоевыми линиями. Каждая слоевая линия является следом одного из дифракционных конусов, создаваемых узловым рядом, совпадающим с осью вращения кристалла. [50]

Страницы: 1 2 3 4