Р-л-переход

Cтраница 1

Диффузионный резистив-ный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы. [1]

Образующийся р-л-переход является барьером, который ограничивает линии тока у поверхности. Величину сопротивления с диффузионным слоем трудно рассчитать вследствие изменяющейся концентрации примесей. [2]

Идеальный кремниевый р-л-переход имеет обратный ток насыщения / 030 мкА при Г125 С. [3]

Идеальный резкий р-л-переход имеет следующие данные. [4]

Создать р-л-переход механическим соединением двух полупроводников с различным типом электропроводности невозможно, электронно-дырочные переходы получают путем введения в полупроводник донорной и акцепторной примесей таким образом, чтобы одна часть полупроводника обладала электронной, а другая - дырочной электропроводностью. [5]

Зонная диаграмма и распределение носителей заряда в пе. [6]

Если р-л-переход является существенно несимметричным, то полная ширина слоя объемного заряда практически равна ширине слоя в той области полупроводника, в которой концентрация основных носителей меньше. [7]

Поскольку р-л-переходы работают в режиме обратного напряжения ( обратного смещения), их входное сопротивление велико и входная мощность мала, что является ценным качеством. Выходная мощность, определяемая величиной напряжения источника питания L7C и соотношением сопротивлений нагрузки RH и пластинки п между истоком и стоком, может значительно превышать входную мощность. [8]

Создать р-л-переход механически путем соприкосновения двух полупроводников с различным типом электропроводности невозможно. Электронно-дырочные переходы получают в результате введения в полупроводник донорной и акцепторной примесей таким образом, чтобы одна часть полупроводника обладала электронной, а другая дырочной электропроводностью. [9]

Если р-л-переход включен в прямом направлении, напряжение U бгрут со знаком плюс, если в обратном - со знаком минус. При комнатной температуре kT 0 025 эВ, поэтому, согласно уравнению (16.14), можно сделать следующие выводы. Таким образом, обратный ток равен тепловому току, который от напряжения не зависит, поэтому рост тока при значительном повышении напряжения ( до определенного предела) почти прекращается, наступает как бы его насыщение. Поэтому тепловой ток / 0 называют также током насыщения. [10]

Структура диода ( а, распределение примесей ( б, концентраций носителей ( в, плотности объемного заряда ( г и поля ( д, энергетическая диаграмма ( е и распределение потенциала ( ж в р-п-пере-ходе. [11]

Рассмотрим резкий р-л-переход, в котором концентрации донорной Nd и акцепторной Na примесей изменяются скачком f на границе раздела. [12]

Для р-л-переходов с границей на поверхности кристалла флуктуации скорости поверхностной рекомбинации создают шумовой ток неосновных носителей. Случайный характер исчезновения носителей заряда на поверхности кристалла вызывает флуктуации тока через р-п-переход и хаотическое изменение его дифференциального сопротивления. [13]

Электронно-дырочный переход. [14]

Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев лир полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5