Р-л-переход

Cтраница 4

Места выхода р-л-переходов планарного транзистора на поверхность кристалла полупроводника оказываются под слоем диоксида кремния, который является хорошим диэлектриком. Он служит защитой поверхности кремния от внешних воздействий, повышая стабильность параметров и надежность транзисторов. [46]

Если к р-л-переходу не приложено внешнее напряжение, то электроны из n - области диффундируют в приграничный слой р-об-ласти, рекомбинируют там, оставляя нескомпенсированные ионы акцепторных примесей, создающих приграничный объемный отрицательный заряд. В свою очередь дырки из р-области диффундируют в приграничный слой n - области, рекомбинируют там, и нескомпенсированные ионы донорной примеси создают в ней приграничный положительный заряд. [47]

Если к р-л-переходу приложено прямое напряжение смещения, то запорный слой наводняется носителями заряда и ведет себя, как зависящее от напряжения низкоомное сопротивление. При подаче обратного напряжения, наоборот, запорный слой обедняется носителями заряда и ведет себя в основном, как плоский конденсатор с диэлектриком. Расстояние между обкладками этого конденсатора равно толшине запорного слоя ds, а площадь обкладок - площади запорного слоя F. Толщина запорного слоя d, зависит от локального распределения доноров и акцепторов в слое. [48]

ПТ с р-л-переходом; б - эквивалентная цепь, в которой выходной генератор тока трансформируется во входную цепь в качестве последовательно соединенного генератора напряжения. [49]

Энергетические диаграммы контакта металл - собственный полупроводник ( а и металл - слаболегированный полупроводник р-слоем ( б. [50]

Что называется р-л-переходом и каковы его свойства. [51]

Расположенный в р-л-переходе двойной слой не-подвиж ных электрических зарядов создает внутреннее электрическое поле. Вследствие этого между р - и - областями возникает некоторая разность потенциалов - потенциальный барьер. [52]

Конструкция точечного р - л-перехода. [53]

При сплавной технологии р-л-переход получают вплавлением таблетки акцепторного элемента в пластину германия или кремния л-типа. Акцепторным элементом для германия служит индий, для кремния - алюминий или бор. При этом атомы расплавленной таблетки акцепторного элемента, диффундируя в исходный полупроводник, компенсируют в его близлежащей области донор-ную примесь и придают этой области дырочную электропроводность. [54]

Нами были исследованы р-л-переходы, полученные диффузией алюминия из подложки в эпитаксиальную пленку. Измерены вольт-амперные характеристики этих р - n - переходов и зависимость емкости от обратного смещения в диапазоне температур от 300 до 600 К. [55]

Обратное включение р-п-пе-рехода. [56]

Такое воздействие на р-л-переход называют обратным смещением. Количество основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля, уменьшается. [57]

Таким образом, р-л-переход ( подобно на контакте металл - полупроводник) обладает односторонней ( вентильной) проводимостью. [58]

Таким образом, р-л-переход разделяет фотоносители. [59]

Канал проводимости. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5