Р-л-переход
Cтраница 5
Эти слои создают р-л-переход в приповерхностной области полупроводника. [61]
Светодиоды представляют собой излучающий р-л-переход. В настоящее время наибольшее распространение получили арсенидно-галлиевые светодиоды полусфери1 ческой конструкции ( диаметр излучающей полусферы 1 4 мм), максимум интенсивности излучения которых соответствует длинам волн 0 92 - 0 96 мкм, ширина спектральной линии 20 - 70 нм. Процессы включения и выключения светодиодов определяются постоянными времени 10 - 8 - 10 - s с, и светодиоды могут использоваться как в режиме постоянного свечения, так и в импульсном режиме. [62]
 |
Схема включения оптрона в качестве коммутирующего элемента. [63] |
Инжекционный диод представляет собой выпрямляющий р-л-переход, свечение которого обусловливается рекомбинацией носителей тока в нем при смещении перехода в прямом направлении. [64]
Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая методом глубоко химического травления. В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа. После второй общей диффузии, формирующей р-слой в кристалле кремния, образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков. В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом. Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров. [65]
Рабочий диапазон температуры р-л-перехода 7 j определяется для каждого полупроводникового ключа отдельно. Знание нижнего температурного предела необходимо для ограничения механических напряжений в кремниевой пластине ниже допустимой величины. Механическое напряжение обусловлено разностью температурных коэффициентов расширения материалов конструкции силового ключа. Верхний диапазон рабочей температуры определяется термической устойчивостью полупроводниковой структуры. Он задается исходя их условий обеспечения стабильности основных характеристик и параметров с течением времени. [66]
Поэтому на границе р-л-перехода образуется двойной электрический слой, поле которого создает потенциальный барьер, препятствующий дальнейшей диффузии электрических зарядов. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5