Р-л-переход
Cтраница 2
Образование р-л-перехода происходит следующим образом. [16]
 |
Явления в р-га-переходе. [17] |
Образование р-л-перехода у плоскостных контактов между полупроводником и металлом объясняется на основе предположения о наличии очень большого количества игольчатых переходов между плоскостями полупроводника и металла, каждый из которьих действует аналогично рассмотренным выше точечным контактам. [18]
 |
Ионное введение примесей. [19] |
Получение р-л-переходов методами диффузии позволяет в точных пределах контролировать глубину залегания и расположение перехода, концентрацию примесей и др. Недостаток процесса - невозможность получения четких переходов между областями с различными типами проводимости. [20]
В несимметрично легированном р-л-переходе происходит инжек-ция преимущественно в сторону слабо легированной области, например р-л - переход ( знак означает сильное легирование) является хорошим инжектором электронов вр-область. [21]
Как и р-л-переходы, диоды по конструктивно-технологическому принципу подразделяют на плоскостные и точечные. Наиболее распространены плоскостные диоды. Точечные диоды, имеющие малую емкость p - n - перехода, используются лишь в весьма высокочастотном диапазоне, однако при малых токах. [22]
 |
Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта о полупроводнике n - типа. б - до контакта в полупроводнике р-тшта. в - после контакта. [23] |
После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю. Это означает что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой. Ферми р-области WFp и n - области WFn должны расположиться в одну линию. При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид, показанный на рис. 3.4, в. Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше, так как минимальная энергия, которой должны обладать электроны в этой зоне, ниже, чем в зоне проводимости р-области. Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа, электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк. Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа. [24]
Импульсные свойства р-л-перехода проявляются как емкостные и индуктивные. [25]
 |
Приложение обратного ( а и прямого ( б напряжений к / 7-я-переходу. [26] |
Вольт-амперная характеристика р-л-перехода представляет собой зависимость тока через переход при изменении на нем значения и полярности приложенного напряжения. Если приложенное напряжение снижает потенциальный барьер, то оно называется прямым, а если повышает его - обратным. [27]
При включении р-л-перехода в прямом направлении потенциальный барьер, препятствующий диффузии электронов и дырок, уменьшается, следовательно, в р-область войдет добавочное количество электронов, а в л-область - дырок. [28]
 |
Разрез силовых кремниевых диодов. а - со стальной крышкой, б - с керамическс й крышкой. [29] |
При изготовлении р-л-перехода для силовых диодов в пластину из кремния диффузионным методом при высокой температуре ( 1250 С) вводят, с одной стороны, акцепторную примесь из бора, а с другой стороны - дсноркую примесь из фосфора. В результате между двумя слоями пластины, насыщенными примесями, образуется электронно-дырочный р-п-переход. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5