Работа - выход - металл
Cтраница 1
Работа выхода металла значительно уменьшается, если его поверхность специально обрабатывается, например покрывается окислами или металлами с меньшей работой выхода. [1]
Если работа выхода металла фм меньше работы выхода полупроводника, то преимущественный переход электронов будет происходить из металла в полупроводник, в результате чего в приконтактном слое повышается концентрация электронов и понижается сопротивление. На рис. 2.7 0 показаны энергетические диаграммы для контакта металла с полупроводником n - типа при РПФМ - Искривление зон энергетической диаграммы в этом случае произойдет в противоположную сторону. Такой слой называют антизапирающим. [2]
Если работа выхода металла больше электронного сродства, то при столкновении отрицательного иона с металлической поверхностью вероятность передачи электрона в металл будет большой. Поэтому металлические поверхности играют очень важную роль в разрушении отрицательных ионов. [3]
 |
Контакт металл-полупроводник для случая ф.| Прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода на горячих носителях.| Конструкция кремниевого диода на горячих носителях. [4] |
Однако если работа выхода металла значительно больше работы выхода полупроводника, то этот прямой ток будет незначительным. [5]
V, работа выхода металла, характеризующая энергию, необходимую для удаления из него электрона, и в то же время сродство этого металла к электрону во многих случаях оказывает значительное влияние на величину теплоты хемосорбции. Истинная величина работы выхода различна для разных кристаллографических граней металла. Это положение качественно весьма эффектно демонстрируется - эмиссионными изображениями, получаемыми при помощи мюл-леровского электронного проектора. В 1937 г. Мюллер [210], изучая автоэлектронную эмиссию с вольфрамового монокристаллического острия, наблюдал, что грань 110 обладает наиболее слабой эмиссией электронов. [6]
Для теоретического расчета работы выхода металлов используются эмпирические соотношения, связывающие работу выхода с различными физическими характеристиками. [7]
Выше предполагалось, что работа выхода металла % 2 больше работы выхода полупроводника % i и у границы полупроводника образуется слой, заряженный положительно. Если полупроводник обладает электронной проводимостью, то концентрация электронов в этом слое меньше, а его сопротивление больше, чем в объеме. [8]
 |
Ячейка для измерения к. р. п. конденсаторным методом. 1 - железный блок. 2 - вибрирующий электрод. 3, 5-трубки. 4 - насос. 6-электромагнит. 7 - невибрирующий электрод. [9] |
Ферми в объеме плюс работа выхода металла), то величина анодного тока определяется не работой выхода катода, а пространственным зарядом, который зависит от температуры. Исходя из макс-велловского распределения скоростей вылетающих электронов они показали, что ток, текущий между анодом и катодом, определяется почти исключительно приложенным потенциалом и средней работой выхода анода. [10]
Коль скоро найдено изменение работы выхода металла в зависимости от заполнения поверхности, то нетрудно определить кинетику процессов десорбции или миграции, наблюдая за изменением поверхностного потенциала со временем. [11]
Если потенциал ионизации атома превышает удвоенную работу выхода металла, из которого сделан катод, то внутри металла появляется незанятое состояние, энергия которого расположена ниже энергии Ферми на величину, превышающую работу выхода маталла. В результате взаимодействия двух электронов, находящихся у поверхности Ферми, это состояние может быть занято одним из двух взаимодействующих электронов с вылетом другого из них. [12]
В зависимости от соотношения между работами выхода металла и полупроводника в месте контакта возникает либо обогащенный носителями слой ( который ведет себя, как омическое сопротивление), либо обедненный слой, который обладает выпрямляющими свойствами. На рис. 100 6 и в показаны зонные модели металла и полупроводника в отсутствие контакта между ними. Уровни Ферми для полупроводников и металлов показаны на одной высоте, так как после осуществления контакта устанавливается энергетическое равновесие между электронами полупроводника и металла, при котором уровни Ферми располагаются на одной и той же высоте. После осуществления контакта ( рис. 100 6 и г) в месте его возникает потенциальный барьер, который лежит ниже уровня поверхностного потенциала контактной пары и высота которого равна работе выхода электронов из металла в полупроводник. [13]
 |
Типичные схемы экспериментальных установок для наблюдения внутренней фотоэмиссии [ 136J. а - Слоистая ячейка ( сандвич. 1 - слой диэлектрика. 2 - электропроводящая подложка ( нижний электрод. [14] |
Фм - соответственно высота барьера и работа выхода металла, а X - - сродство к электрону диэлектрика. На рис. 2.5.31 изображен ряд возможных внутренних фотоэмиссионных процессов. [15]
Страницы: 1 2 3 4