Cтраница 4
Из приведенного рассмотрения видно, что определяющая роль в контактных явлениях принадлежит не концентрации носителей тока в полупроводнике, а соотношению работ выхода металла и полупроводника. [46]
Энергетическая диаграмма возникновения внешней контактной разности.| Энергетическая диаграмма возникновения вну. [47] |
Возникновение контактной разности потенциалов в случае контакта металл-полупроводник принципиально не отличается от контакта металл-металл, так как она будет определяться разностью работ выхода металла и полупроводника. Однако отличие свойств полупроводника от металла, обусловленное возможностью значительного изменения концентраций носителей заряда в полупроводниках, приводит к возникновению специфических явлений на контакте металл-полупроводник. [48]
Разложение аммиака на платине. [49] |
Кембол [50, 74] провел очень подробное исследование обмена на полученных испарением пленках различных металлов и нашел обратную зависимость между энергиями активации и работой выхода металла при практически постоянной предэкспо-ненте. [50]
Уже в 1928 г. Рогинский и Шульц [4] подчеркнули важность электронных представлений, а Ридиэл и Уонсбро-Джонс [5] установили связь между работой выхода металлов и энергией активации их окисления. Брюэр [6] в 1928 г., Шмидт [7] в 1933 г. н Найроп [8] в 1935 г. предположили, что в некоторых каталитических процессах поверхность может способствовать ионизации адсорбированных веществ. [51]
Делались попытки подойти к нахождению изменений свободной энергии при реакции по ее индивидуальным стадиям, а именно по скрытой теплоте испарения и работе выхода металла, ионизационному потенциалу и теплоте сольватации иона, а также по изменению энтропии при реакции. Как правило, из-за трудностей измерения или расчета разности потенциалов электрод - электролит для отдельного электрода прибегают к использованию стандартных полуэлементов, с которыми может быть проведено сравнение. [52]
Положительный ион может выбить вторичный электрон из поверхности, если сумма его кинетической ( К) и потенциальной ( eVf) энергий превышает удвоенное значение работы выхода еср металла; это следует из закона сохранения энергии и того обстоятельства, что на каждый испущенный электрон должен быть освобожден еще один электрон для нейтрализации положительного иона. [53]
Эффекты, определяющие высоту барьера Фй, на макроскопическом уровне могут быть представлены как результат влияния суммарного заряда на границе раздела или диполей на истинные значения работы выхода металла и полупроводника. Это традиционный подход к решению данной проблемы, применяемый специалистами в области полупроводниковых приборов. [54]