Работа - выход - металл
Cтраница 3
На основании его данных следует ожидать, что, несмотря на низкую работу выхода металла ( 4 5 эв) и относительно высокий потенциал ионизации ароматических соединений ( 8 - 9 эв), суммарный перенос заряда происходит в направлении от ароматического соединения к металлу. Указанные величины энергий приводят иногда к заключению, что суммарный перенос заряда происходит от металла к углеводороду, а не в обратном направлении, как предполагают авторы настоящей статьи. Такое предположение не позволяет, однако, объяснить близкое сходство между металлами с работой выхода около 4 эв и наиболее электроотрицательными атомами. Квантовомеханически суммарное направление переноса заряда объясняют на основе представлений о симметрии связывающих и разрыхляющих орбиталей органической молекулы. Поскольку разрыхляющие орбитали более сложны и содержат большее число узловых плоскостей, чем связывающие орбитали, должно преобладать взаимодействие, обусловленное связывающими орбиталями, так что суммарный перенос заряда происходит в направлении металла. Это заключение согласуется с данными Селвуда [30] об адсорбции бензола и этилена, исследованной магнитными методами. [31]
Точные общие зависимости между скоростями адсорбции и свободной энергией активации, выраженные через работу выхода металла и ионизационный потенциал газа, еще не установлены. [32]
Первая часть равна энергетической разности ( ер - el ], где р - работа выхода металла, а / - ионизационный потенциал атома щелочного металла. [33]
Кроме того, при пересечении электронами границы газ-металл их потенциальная энергия уменьшается на величину работы выхода металла ф, которая также передается аноду. [34]
Уайт показал, что для данной формы катода напряжение, поддерживающее разряд, связано с работой выхода металла катода. [35]
Для практики наиболее интересен контакт между металлом и электронным полупроводником с работой выхода меньшей, чем работа выхода металла, и между металлом и дырочным полупроводником с работой выхода, превосходящей работу выхода металла. Такого рода комбинации металлов и полупроводников используются в твердых выпрямителях и вентильных фотоэлементах. [36]
Уменьшение Qg, наблюдаемое на металлических поверхностях с увеличением значений 6, обусловлено главным образом изменением работы выхода металла под влиянием дискретных дипольных слоев, образованных хемосорбированными атомами. [37]
Уменьшение Qn, наблюдаемое на металлических поверхностях с увеличением значений 0, обусловлено главным образом изменением работы выхода металла под влиянием дискретных дипольных слоев, образованных хемосорбированными атомами. [38]
Для р - Si эти рассуждения обратны, и вольт-амперная характеристика контакта будет нелинейной в случае, когда работа выхода металла меньше работы выхода кремния. [39]
Удобство его применения заключается в том, что входящая в него злектроотрицательность является более стабильным по сравнению с работой выхода металла параметром, экспериментальное значение которого существенно зависит от состояния поверхности. [40]
А - отношение статистических весов основных ионного и нейтрального состояний атома; е - заряд иона; ф - работа выхода металла; V-потенциал ионизации исследуемого атома; k - постоянная Больцмана; Т - температура полости и газа. В последние годы показана применимость формулы Саха-Ленгмюра для процессов ионизации многоатомных молекул и радикалов. Естественно, что при напуске соединения, ПИ которого выше этой величины, молекулярный ион не образуется. Частицы М Н ], отдавая электрон металлу, заряжаются положительно, выталкиваются в объем и далее анализируются обычным масс-спектрометрическим путем. Поскольку наибольшие по величине токи дают ионы, образующиеся при ионизации радикалов, имеющих наименьшие ПИ, и, следовательно, наиболее стабильные, то масс-спектры поверхностной ионизации, так же как и при электронном ударе, определяются наиболее стабильными ионами, хотя пути и механизмы их образования совершенно иные. [41]
Напряжение на затворе, необходимое для получения сильной инверсии ( пороговое напряжение Unop), складывается наследующих компонентов: разности работ выхода металла и полупроводника фм. [42]
Отрицательная поляризация r - атома имеет величину порядка - 0.02 единицы элементарного заряда, поэтому адсорбция / - типа увеличивает работу выхода металла. Теория показывает, что поляризация r - атома убывает, в то время как работа выхода адсорбента возрастает, поскольку увеличивается энергия ( М - - Н -) - состояния, тем самым уменьшается его вклад в резонанс. [43]
Авторы вывели уравнение, показывающее, что теплота адсорбции при нулевом покрытии при условии приблизительно одинакового перекрывания орбиталей является простой функцией работы выхода металла и потенциала ионизации основания. Это уравнение было успешно применено к адсорбции алифатических нитрилов, эфиров, спиртов, аминов и тиолов с длинной цепью. Было найдено, что прочность адсорбции увеличивается по мере уменьшения потенциала ионизации адсорбированной молекулы. [44]
 |
Схема энергетических уровней в области контакта металл - полупроводник п-типа. [45] |
Страницы: 1 2 3 4