Разрыхление - решетка
Cтраница 1
Разрыхление решетки с образованием дублетов вакансий в обеих подрешетках должно вызывать уменьшение прочности решетки в соответствии с уменьшением числа связей. [1]
При этом разрыхления решетки и разрушения кристаллов двуводного гипса не происходит и црследние замещаются плотно упакованными призматическими кристаллами полугидрата а-модифика-ции. В результате этого наблюдается усадка исходных кристаллов дигидрата и на их поверхности образуются трещины. Игольчатые кристаллы а-полугидрата возникают лишь на плоскости ( 001) кристаллов гипса и рост их происходит только по оси С. В дальнейшем наблюдается перекристаллизация а-полугидрата, сопровождающаяся увеличением толщины кристаллов и уменьшением их длины. Кристаллы а-полугидрата крупны и имеют четкий призматический габитус. Рост кристаллов и изменение их габитуса стимулируют добавки некоторых солей и органических поверхностно-активных веществ. [2]
Второй этап - разрыхление решетки после предельного упрочнения, и, наконец, третий этап - образование трещины усталости в зоне разрыхления и дальнейший рост этой трещины за счет концентрации напряжений в ее тупиковой части. [3]
Катионы щелочных металлов вызывают разрыхление тетраэдричес-кой решетки, понижение вязкости стекла и температуры его плавле ния. Ионы щелочных металлов в стекле связаны относительно слабо и поэтому обладают значительной подвижностью. [4]
При повышении температуры энергия решетки уменьшается вследствие разрыхления решетки под действием тепловых колебаний, в то время как внутренняя энергия увеличивается. У большинства кристаллов энергия решетки в пределах от 0 К до комнатной температуры изменяется незначительно - на величину порядка 1 ккал / моль. [5]
 |
Изменение во времени разности потенциалов ( а и световой эмиссии разряда при отрыве острня от поверхности по Майеру, Цитту, Полли ( б. [6] |
При фазовом превращении может возникать активированное состояние вследствие разрыхления решетки и наличия напряжений, неизбежных при перестройке структуры. [7]
Вследствие десорбции молекул СО2 в газовую фазу происходит местное разрыхление решетки, которое способствует более быстрым перемещениям оставшихся анионов. [8]
 |
Эманирующая способность адсорбированных на Ва ( 1ЧОз 2 изотопов На. [9] |
Резкий скачок на кривой имеет место при температуре разрыхления решетки. В случае же адсорбции при низких температурах наблюдается значительное эманирование ( рис. 81, 82), величина которого определяется химическим составом соли, продолжительностью жизни изотопа радона и способом приготовления препарата. [10]
По-видимому, здесь имеет место как раз то самое разрыхление решетки, которое наблюдалось многими авторами, в частности для системы K. [11]
 |
Изменение потенциальной энергии при перемещении атома. [12] |
Тоо); Q - энергия активации диффузии ( или энергия разрыхления решетки); К - газовая постоянная. [13]
 |
Зависимость эманирующей [ IMAGE ] Зависимость эманиру-способности BaSO4 от его предва - ющей способности ВаС12 от его рительной обработки. предварительной обработки. [14] |
Быстрое возрастание эманирующей способности в области 700 - 800 следует объяснить разрыхлением решетки. Подъем на кривой Ь имеет место при значительно более низкой температуре. [15]
Страницы: 1 2 3 4