Разрыхление - решетка
Cтраница 2
Аналогичная взаимозависимость между теплотой активации при диффузии ( точнее, между энергией разрыхления решетки Q, равной лишь приближенно Д / /) была установлена еще ранее Грюнайзеном [10] прп решении задачи о тепловом расширении кристалла. [16]
 |
Термограммы гидратированной MgO. [17] |
Рост гидратируемости при дальнейшем нагревании MgO до температуры 1800 С следует приписать увеличению разрыхления решетки от испарения MgO и увеличения числа дефектов решетки ( Ред. [18]
Смекаль показал ( окрашивая образцы посредством облучения их радиоактивными лучами), что в пластически деформированной части кристаллов каменной соли разрыхление решетки проявляется резче, чем в недеформированной части. Такие изменения в микроструктуре пластичных металлов под действием сильного наклепа хорошо известны инженерам. [19]
Необходимостью растворения активирующей примеси в основании люминофора для возникновения способности к люминесценции обусловлена в значительной мере и существующая связь между температурой возникновения фосфора и температурой разрыхления решетки. [20]
Переход атомов из одних равновесных положений в их решетке в другие называют самодиффуэией, а наименьшая избыточная энергия, необходимая для самодиффузии, называется энергией активации, или энергией разрыхления решетки. [21]
Если вода из кристаллов двуводного гипса удаляется в капель-но-жидком состоянии ( когда процесс происходит в замкнутом пространстве или при кипячении в растворах некоторых солей и кислот - NaCi, MgSO4, HNO3), образуется а-полугидрат. При этом разрыхления решетки и разрушения кристаллов двуводного гипса не происходит и последние замещаются плотно упакованными призматическими кристаллами полугидрата а-модификации. В результате этого наблюдается усадка исходных кристаллов дигидрата и на их поверхности образуются трещины. Игольчатые кристаллы а-полугидрата возникают лишь на плоскос ги [001] кристаллов гипса и рост их происходит только по оси С. В дальнейшем наблюдается перекристаллизация а-полугидрата, сопровождающаяся увеличением толщины кристаллов и уменьшением их длины. Кристаллы а-полугидрата крупные и имеют четкий призматический габитус. Рост кристаллов и изменение их габитуса стимулирует добавки некоторых солей и органических поверхностнр-активных веществ. [22]
При определенных условиях скорости поверхностной и объемной диффузии также различаются на несколько порядков. Такое соотношение коэффициентов диффузии представлено на рис. 11.5. Разрыхление решетки, существующее в области границы зерен ( см. рис. 10.5), способствует преимущественной диффузии по этим границам. [23]
Из соединения стехиометрического состава удаляются одновременно два сер - а атомов А и В, но в разных соотношениях. Основой процесса являемся образование структуры вычитания, которое дополняется разрыхлением решетки за счет удаления атомов А и В из обеих подрешеток в разных соотношениях. [24]
 |
Зависимость эманирующей способности BaS04 от его предварительной обработки.| Зависимость эманирующей способности ВаС12 от его предварительной обработки. [25] |
Быстрое возрастание эманирующей способности в области 700 - 800 следует объяснить разрыхлением решетки. [26]
 |
Типы дефектов в решетке. [27] |
Обычное разделение энергии активации на две части, одна из которых есть % энергии активации образования пары вакансий, и другая - энергия активации процесса перескока, видимо, не вполне состоятельно, так как в этом случае мы должны допустить равенство энергий активации процессов перескока во всех рассмотренных случаях. Мы полагаем, что возможно говорить о некоторой общей энергии активации процесса разрыхления решетки. Если это действительно так, то решение задач, стоящих перед диффузионным анализом, может быть в ряде случаев выполнено при помощи в какой-то мере произвольно выбранного радиоактивного индикатора. [28]
Следствием этого является образование металлами V группы двух типов карбидов ( МеС и Ме2С) с более узкими областями гомогенности, чем у монокарбидов MeIVC, так как из-за более высокого СВАСК - металлов и более низкой доли их нелокализованных электронов возможность стабилизации реконфигураций атомов углерода в широких интервалах его концентраций снижается по сравнению с таковой карбидов MeIVC. Это приводит по мере уменьшения содержания углерода в карбиде к усилению электрон-электронного взаимодействия с соответствующим разрыхлением решетки и понижению ее симметрии - от кубической структуры к гексагональной. Следует отметить, что образование прочных связей Mev-Mev несколько препятствует получению карбидов MevC стехиометрического состава. Карбиды металлов VI группы вследствие дальнейшего роста СВАСК - металлов характеризуются еще большим увеличением доли связи Me-Me и ослаблением связей Me-С из-за ухудшения стабилизации 5р3 - конфи-гураций, а наличие значительной общей доли нелокализованных электронов в карбидах способствует тому, что эти металлы образуют уже по два-три карбида, которые имеют очень узкие области гомогенности или вообще их не имеют. [29]
В результате адсорбции активных компонентов среды на поверхности циклически нагружаемого металла облегчается при заданной амплитуде ( максимальном напряжении) образование пластических сдвигов и резко возрастает их число. Тем самым способность металла к упрочнению исчерпывается при меньшем числе циклов и раньше наступает второй этап усталостного разрушения - разрыхление решетки после предельного упрочнения. В дальнейшем, при образовании микротрещин усталости, в них проникает под действием капиллярных сил окружающая жидкая среда. При этом еще до заполнения трещин жидкой фазой поверхностно-активные молекулы проникают внутрь трещины, мигрируя по ее стенкам. [30]
Страницы: 1 2 3 4