Раскалывание - кристалл
Cтраница 1
Раскалывание кристалла повышает энергию обоих электронов каждой разорванной связи на эту величину. В каждом образующемся при скалывании пибридизованном состоянии оборванной связи остается по одному электрону. Можно сказать, что изменение энергии одного электрона дает вклад в поверхностную энергию одной грани, а другого электрона - в поверхностную энергию другой грани. Этот вклад в 10 или более раз превосходит поверхностную анерлию, наблюдаемую в эксперименте. Имеются также другие существенные вклады в поверхностную энергию такого же типа, как при расчете полной объемной энергии связи. Кроме того, мы увидим, что поверхностную энергию может значительно уменьшить реконструкция. [1]
Преимущественное раскалывание кристаллов по некоторым плоскостям, называемым плоскостями спайности, было известно давно. Однако только Аюи понял, что такое раскалывание кристалла, будучи продолжено достаточно большое число раз, приведет к получению предельно малых многогранных частичек, которые уже нельзя будет расколоть без нарушения природы их вещества. Из этих частичек, как из кирпичиков, строится кристалл, вырастая в природных или искусственных условиях. Эти кирпичики образуют как бы бесконечную ( учитывая их малость по сравнению с макроскопическим кристаллом) пространственную решетку. [2]
При раскалывании кристалла Сг2О3 вдоль компактного слоя, заполненного анионами О2 -, на каждом из этих анионов остается нескомпенсированный отрицательный заряд. Поскольку окись обычно готовят путем дегидратации гидроокиси, этот заряд компенсируется протонами; в таком гидратированном состоянии поверхность должна быть каталитически неактивной. Необходима тщательная предварительная обработка. [3]
При раскалывании кристалла Сг2О3 вдоль компактного слоя, заполненного анионами О2, на каждом из этих анионов остается нескомпенсированный отрицательный заряд. Поскольку окись обычно готовят путем дегидратации гидроокиси, этот заряд компенсируется протонами; в таком гидратированном состоянии поверхность должна быть каталитически неактивной. Необходима тщательная предварительная обработка. [4]
Поверхность кристалла, полученная путем раскалывания кристалла или нагревания при достаточно высоких температурах в сверхвысоком вакууме ( для десорбции имевшегося адсорбционного слоя), вначале является чистой. Однако далее поверхность в присутствии газовой атмосферы адсорбирует атомы или молекулы из окружающей среды. В результате образуется моно-или полиатомное или же молекулярное покрытие. При этом кристалл или любое другое твердое тело называют адсорбентом, а газовую фазу - адсорбатом. [5]
 |
Зависимость коэффициента пропускания фтористого лития от длины волны. / - кривая для свежего кристалла, 2 - кривая для того же кристалла после пребывания его в течение 97 дней на воздухе. [6] |
Наиболее прозрачные пластины из LiF изготовляют путем раскалывания кристалла вдоль плоскостей спайности. С течением времени коэффициент пропускания перестает уменьшаться, но это может наступить через сотни часов. Уменьшение прозрачности кристаллов связано с образованием поверхностной пленки атмосферной влаги. Поэтому чем больше влажность воздуха, тем скорее устанавливается постоянное значение коэффициента пропускания. Если кристаллы фтористого лития сразу после скалывания поместить в атмосферу сухого газа или в вакуум, то снижение коэффициента пропускания практически не наблюдается. [7]
 |
Схема разрезов кристаллов, иллюстрирующая закон постоянства гранных углов.| Схема контактного гониометра. [8] |
Еще Доменико Гуглилимини заметил, что направление раскалывания кристалла является постоянным, причем образующиеся при раскалывании плоские грани являются характерными для данного вещества. Это привело Гуглилимини к заключению, что кристалл построен из микроскопических кристаллических единиц и раскалывание кристалла происходит по плоскости касания этих единиц. [9]
 |
Агрегатные разновидности алмазов - борт. [10] |
Низкосортные алмазы дробят на различных установках с целью раскалывания кристаллов по трещинам или дефектным местам и одновременно придают получаемым обломкам изометричную форму. Механическое дробление применяется на молотковых дробилках, шаровых мельницах, при этом отсутствует избирательность разрушения алмазов, а существует избирательное дробление, при котором кристаллы раскалываются по дефектным местам. Чаще всего это происходит в результате удара алмазов об экран или отражатель. [11]
Причиной этого явления может быть, в частности, раскалывание кристалла или растущих дендритов; это раскалывание приводит к рассредоточению частиц, которые могут играть роль зародышей. Вероятно, подобное увеличение числа зародышей возможно также и при образовании твердого продукта из газообразной фазы, если происходит аналогичное растрескивание. Следовательно, полезно рассмотреть возможность такого увеличения числа зародышей. В этом случае теоретический анализ непосредственно следует из теории Гелера и Сакса, хотя сами они это явление не рассматривали. [12]
При применении более совершенной аппаратуры можно увеличить поверхность посредством раскалывания кристалла на пластины, причем сами пластины в этом случае, по-видимому, состоят из массы очень тонких пластинок, концы которых, почти прозрачные для потока электронов в электронном микроскопе, можно наблюдать, направляя луч в центр остаточных кристаллов. [13]
Наиболее надежным способом получения чистой, неизмененной твердой поверхности является раскалывание кристалла. [14]
Конечно, этот расчет очень приблизителен, поскольку работа по раскалыванию кристалла не может быть точно равна 5 0Ф - Это справедливо лишь в том случае, если, помимо всего прочего, расстояние между поверхностной плоскостью и следующей плоскостью решетки остается равным нормальному межплоскостному расстоянию, когда образуется поверхность. [15]
Страницы: 1 2 3 4