Раскалывание - кристалл
Cтраница 4
Этот сульфид имеет слоистую структуру, состоящую из слоев атомов молибдена, которые расположены между слоями из атомов серы. Чередующиеся слои, являющиеся идентичными, удерживаются между собой очень слабыми вандерваальсовыми силами. Этим объясняется легкость раскалывания кристаллов вдоль базовой плоскости. Кристаллы MoS2 принадлежат пространственной группе симметрии Deh ( / 363 / / nmc) и имеют две формульные единицы в гексагональной элементарной ячейке. [46]
Вычисленные величины включают поправки на перераспределение ионов у вновь образованной поверхности; эти поправки незначительны для кристаллов инертного газа, но становятся существенными для ионных кристаллов. Необходимо заметить, что энергия когезии зависит почти исключительно от электростатического взаимодействия, тогда как электростатическая компонента поверхностной энергии соизмерима с. Поэтому поверхностная энергия по порядку величины должна совпадать с энергией, обусловленной лондоновскими дисперсионными силами; другими словами, поверхностная энергия определяется энергией, требующейся для раскалывания кристалла на две нейтральные части, в то время как энергия когезии зависит от энергии, требующейся для разделения противоположно заряженных ионов. [47]
 |
Спектральное распределение фоточувствительности гетерофотопреобразователя ( / и селективного фотоприемника ( 2.| Зонная диаграмма контакта металл - полупроводник. [48] |
Возникновение пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника обусловлено переносом электронов ( материал я-типа) из зоны проводимости полупроводника в металл. Одновременно электроны уходят в металл и с приповерхностных состояний, расположенных между дном зоны проводимости и уровнем Ферми, оставляя на этих состояниях положительный заряд. Чтобы исключить влияние окисного слоя, принимают меры для нанесения металла на атомарно чистую поверхность полупроводника, например, напыляя металл на чистый скол полупроводника в сверхвысоком вакууме сразу же после раскалывания кристалла. [49]
Причиной анизотропии кристаллов служит упорядоченное расположение частиц ( атомов или молекул), из которых они построены. Упорядоченное расположение частиц проявляется в правильной внешней огранке кристаллов. Кристаллы ограничены плоскими гранями, пересекающимися под некоторыми, определенными для каждого данного рода кристаллов, углами. Раскалывание кристаллов легче происходит по определенным плоскостям, называемым плоскостями спайности. [50]
 |
Дислокационная граница между двумя блоками кристалла. [51] |
Индукционные границы являются поверхностями соприкосновения совместно растущих кристаллов или блоков одного кристалла. Эти поверхности обычно ступенчатые, часто вдоль них располагаются включения раствора, скапливаются примеси. В макро-блочных кристаллах, выращенных из растворов, границы между блоками всегда индукционные. Раскалывание макроблочных кристаллов обычно происходит по индукционным границам. [52]
Большинство естественных монокристаллов содержит небольшое количество винтообразных дислокаций очень больших ( 1000А) векторов Бюргерса. Величина вектора Бюргерса измеряется посредством раскалывания кристалла и измерения высоты прерываемой ступеньки, которая берет начало в этой дислокации ( фиг. Дислокации не являются непрерывными, а начинаются и кончаются внутри данного кристалла. Плотность крупных винтовых дислокаций, по-видимому, возрастает вблизи поверхности кристалла менее чем в десять раз и то лишь изредка, и ни одна из них не была обнаружена в центре кристалла. [53]
Термин междуповерхностный относится здесь к месту рекомбинации двух азидных радикалов или экситонов, в результате которой образуется газообразный азот. Однако до того как приступить к обсуждению такого механизма, остановимся сначала на возражении, выдвинутом Моттом, согласно которому не существует пути для удаления молекул азота из кристалла. Прежде всего при термическом образовании ядер они возникают всегда на внешней поверхности или на внутренних пограничных поверхностях микрозерен. В случае ядер, образующихся внутри кристалла под действием излучения высокой энергии, выделение газа ведет обычно к раскалыванию кристалла, обеспечивающего в дальнейшем развитие термической реакции на вновь образовавшейся поверхности. Во-вторых, в конкретном случае азида бария реагирующее исходное вещество представляет собой безводную псевдоморфозу кристаллогидрата азида бария и, следовательно, допускает диффузию газа, хотя в общем случае это неверно; наконец, в-третьих, большие ядра обычно растрескиваются, что позволяет улетучиваться газу. [54]
Очень интересно выяснить, совпадают ли структуры поверхностей расколотых кристаллов и кристаллов, очищенных с помощью ионной бомбардировки и прогрева. Такого рода эксперименты впервые были выполнены Хейнеманом [21], который рассматривал грани ( 0001) теллурида висмута. Результаты исследования поверхностей, приготовленных указанными способами, находились в согласии друг с другом. Однако, как отмечено выше, структура этих кристаллических граней не отклоняется от нормальной. Хотя для грани ( 111) поверхности раскола также наблюдались потоки дробного порядка, распределение интенсивности в обоих случаях заметно различалось. Кроме того, прогрев поверхности раскола приводил к резко выраженным изменениям, позволяющим предположить, что после раскалывания при комнатной температуре атомы поверхности находятся не в равновесных положениях. Было также отмечено, что поверхность, полученная методом конной бомбардировки и прогрева, значительно ближе к идеальной поверхности, образуемой набором граней ( 111), чем поверхность раскола. Лендер и др. [24] сравнительно недавно повторили опыты с раскалыванием кристаллов кремния и получили похожие результаты. [55]
Страницы: 1 2 3 4