Раскалывание - кристалл
Cтраница 2
Шульман и Лея ( 1954) получали высокоактивные и легко изготавливающиеся поверхности раскалыванием кристаллов сульфата бария. [16]
Шульман и Лея ( 1954) получали высокоактивные и легко изготавливающиеся поверхности раскалыванием кристаллов сульфата бария, Один образец вводили в оптическую кювету, содержащую 15 мл водного раствора ПАВ. Капли масла наносили на кристаллическую поверхность хорошо оттянутой стеклянной палочкой, а количество контролировалось шприц-микрометром. [17]
С теоретической точки зрения поверхностная энергия отождествляется с изменением потенциальной энергии при раскалывании кристаллов вдоль определенной кристаллографической плоскости и удалении двух частей на бесконечное расстояние друг от друга. Разности нулевых энергий атомов, лежащих на поверхности и в объеме, незначительны, и так как можно не принимать в расчет разности в вибрационной энергии для тех и других атомов, то вычисление поверхностной энергии обосновано только для 0 К. [18]
С теоретической точки зрения поверхностная энергия отождествляется с изменением потенциальной энергии при раскалывании кристаллов вдоль определенной кристаллографической плоскости и удалением двух частей на бесконечное расстояние друг от друга. Так как поверхностное натяжение связано с энергией разрыва межмолекулярных связей, то оно ими и обусловлено. [19]
Им было установлено, что прочность или твердость как работа образования единицы площади новой поверхности при раскалывании кристалла может быть понижена в 2 - 3 раза при переходе от воздуха ( вакуума) в качестве внешней среды к жидкости, возможно более близкой по полярности к данному кристаллу, или при введении малых добавок поверхностно-активных веществ, адсорбирующихся развивающимися при разрушении поверхностями кристалла. [20]
Минимальное число дефектов ( менее 106 см-2) имеют пленки, которые выращиваются на плоскости, полученной раскалыванием кристалла германия непосредственно в реакторе. [21]
 |
Влияние песчинок на чувствительность тэна к удару и трению. [22] |
Инициирующие взрывчатые вещества, представляющие собой соли с относительно высокой энергией решетки, могут, в принципе, при раскалывании кристалла сохранять энергию связи на кристаллических поверхностях. Даже для мягких взрывчатых веществ с низкой температурой плавления некоторые виды ультрасдвига, возникающие при испытаниях на удар, приводят к таким высоким скоростям течения, при которых напряжения трения могут вызвать обрыв связей. [23]
Применяя оптический метод Фрэзера и Герцфельда, Зиль-берман [22] исследовал адсорбцию метилового спирта на пластинках каменной соли, полученных путем раскалывания кристаллов. Его кривые для давлений от 2 см и выше похожи на / / тип изотерм. Он также нашел, что при давлениях между 10 - 4 и 10 - 5 мм образуется мономолекулярный слой адсорбированного метилового спирта на каменной соли. [24]
Применяя оптический метод Фрэзера и Герцфельда, Зиль-берман [22] исследовал адсорбцию метилового спирта на пластинках каменной соли, полученных путем раскалывания кристаллов. Его кривые для давлений от 2 см и выше похожи на / / тип изотерм. Он такше нашел, что при давлениях между 10 - 4 и 10 - 5лш образуется мономолекулярный слой адсорбированного метилового спирта на каменной соли. [25]
В то же время большинство твердых смазок содержит в виде примесей значительные количества абсорбированных газов, которые могут выделяться при раскалывании кристаллов. [26]
Ино, Огава и др. [88, 89], осаждая золото, медь, серебро и никель на плоскости ( 100), полученной раскалыванием кристалла NaCl в вакууме и на воздухе при прочих равных условиях конденсации ( УК 10 - 50 К / мин, h 400 - 500 А, р 10 - 4 - 10 - 5 мм ртп. [27]
 |
Классификация методов выращивания кристаллов в однокомпо. [28] |
Термомеханические напряжения, возникающие в результате неравномерности охлаждения и твердофазных превращений, могут привести к высокому содержанию кристаллических дефектов ( в том числе к образованию двойников), пластической деформации, растрескиванию и раскалыванию кристалла. В том числе и поэтому оптимизация теплообмена является важнейшей задачей при разработке технологического процесса и оборудования для его осуществления. Силовое воздействие на растущий кристалл, приводящее к его деформации или разрушению, может быть осуществлено и в результате давления, колебаний и биений механических частей оборудования, возникающих по целому ряду причин. [29]
При напуске аргона в прибор, откачанный до давления около 10 - 6 мм рт. ст. ( рщо - 5 - 10 - 7 мм рт. ст., pco N2 ж 4 - 10 - 7 мм рт. ст., ро, рсо2 - Ю-7 мм рт. ст.), и раскалывании кристалла NaCl в самом приборе эпитаксиальные пленки GaAs с наилучшей ориентировкой образуются при tK 300 С. При комнатной температуре ориентация кристаллов произвольная, а при tK 300 С степень ориентации уменьшается. Если кристаллы NaCl раскалывать в воздухе, то монокристальные пленки в указанных условиях не образуются. [30]
Страницы: 1 2 3 4