Раскалывание - кристалл
Cтраница 3
Фотолюминесценцией невидимому объясняются некоторые случаи триболюминесцен-ции. При раскалывании кристаллов в микро-скрпических трещинах вероятно образуются большие разности потенциалов. В разреженном воздухе в этих трещинах происходит электрический разряд, сопровождающийся излучением ультрафиолетового света. Этот свет и является по Ленарду прямой причиной наблюдаемой люминесценции нек-рых кристаллов. [31]
Винтовые дислокации облегчают рост кристалла, давая возможность атомам садиться на поверхностную ступеньку. Дислокации влияют на раскалывание кристаллов и другие механические свойства. Наличие дислокаций и взаимодействия между ними объясняет наблюдаемое для некоторых кристаллов явление деформационного упрочения, которое состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения пластическая деформация возрастает. [32]
Вискерсы, получаемые механическим выкалыванием из крупных кристаллов, часто имеют неправильный и неоднородный по длине профиль поперечного сечения. Однако подбирая условия раскалывания кристалла, можно получать прямолинейные осколки с приблизительно прямоугольным и однородным по длине поперечным сечением. Стрелков и Шпунт ( 1962) получали вискерсы из оптического фтористого лития. [33]
В некоторых случаях это становится возможным. Например, при раскалывании кристалла фторида лития меньший обломок, как правило, приобретает отрицательный заряд, а больший - положительный. [34]
 |
Влияние анизотропии меж - -. [35] |
Измерения краевого угла являются чувствительным критерием существования адсорбционных и реакционных слоев. Свежие грани, полученные раскалыванием кристалла, обычно быстро покрываются адсорбционным или реакционным слоем, который можно обнаружить по изменению краевого угла смачивания. [36]
Следует отметить, что вещество карборунда не дает термо люминесценции. Интересно отметить также, что при раскалывании кристаллов карборунда можно наблюдать и триболюминесценцию. [37]
Преимущественное раскалывание кристаллов по некоторым плоскостям, называемым плоскостями спайности, было известно давно. Однако только Аюи понял, что такое раскалывание кристалла, будучи продолжено достаточно большое число раз, приведет к получению предельно малых многогранных частичек, которые уже нельзя будет расколоть без нарушения природы их вещества. Из этих частичек, как из кирпичиков, строится кристалл, вырастая в природных или искусственных условиях. Эти кирпичики образуют как бы бесконечную ( учитывая их малость по сравнению с макроскопическим кристаллом) пространственную решетку. [38]
Еще Доменико Гуглилимини заметил, что направление раскалывания кристалла является постоянным, причем образующиеся при раскалывании плоские грани являются характерными для данного вещества. Это привело Гуглилимини к заключению, что кристалл построен из микроскопических кристаллических единиц и раскалывание кристалла происходит по плоскости касания этих единиц. [39]
Грань 100 показана на рис. 33, а. Средняя из трех диаграмм рис. 33, а представляет вид грани 100 непосредственно после раскалывания кристалла. [41]
Рсоа 12 - Ю 10 мм рт. ст., рнго Ю-10 мм рт. ст.) и раскалывании кристалла NaCl в вакууме температура начала эпитакси-ального роста при распылении понижалась до tK 120 С, а ориентировка заметно совершенствовалась. [42]
Поэтому следует ожидать, что при изменении концентрации примеси обе величины, и р и hvt, будут вести себя не так, как предсказывает фиг. Аллен и Гобели [139] предложили остроумный способ измерения ф и hvt во всем диапазоне концентраций примесей от вырожденной проводимости р-типа до вырожденной проводимости / г-типа, состоящий в помещении в вакуум длинных образцов каждого типа проводимости, сопротивление которых по длине меняется непрерывным образом от собственного до вырожденного, с последующим многократным раскалыванием кристалла. Каждый раскол образует грани с различным уровнем примесей. Деталь С служит для освобождения закрепленного кристалла А, подачи его на требуемое расстояние вперед, закрепления кристалла, нанесения на верхней поверхности царапины и раскола кристалла. Измерения производятся методом Кельвина. [43]
Кристалл MoS2 ( рис. 5.16) имеет слоистую пластинчатую структуру. Элементарная ячейка решетки MoS2 представляет собой трехгранную призму с центральным ионом Мо, окруженным шестью атомами серы. При раскалывании кристалла обычно экспонируется плоскость, покрытая мономолекулярным слоем серы. Однако при отщеплении от боковых поверхностей кристалла атомов серы, образующих трехгранную призму, возникает координационно-ненасыщенный ион Мо. Таким образом, базальнаяповерхность кристалла и его боковая поверхность имеют совершенно разные структуры и, следовательно, могут обладать различными каталитическими свойствами. В то же время реакции типа изомеризации 2-метилбутена - 1, для начала которых не требуется присутствия водорода на поверхности ( в отличие от реакции к-бутена), протекают на плоскости, покрытой серой. На рис. 5.17 приведены данные, полученные при изучении реакций изомеризации цис-бутена-2 и 2-метилбутена - 1 на кристалле Mo. Интересно, что изомеризация к-бутена на базальной поверхности не идет и регулирование кислотности этой поверхности при изомеризации 2-метилбутена - 1 введением третичных, вторичных и первичных карбониевых ионов существенного влияния на ход процесса не оказывает. [44]
Раскалывание обычно производят, вводя клинообразное лезвие в небольшие ориентированные отверстия на поверхности кристалла. Вандерслайс и Уэттен [28] при изучении адсорбции на расколотых кристаллах галогенидов щелочных металлов использовали для раскалывания лезвие бритвы, укрепленное на конце стержня, который соединялся со стеклянной трубкой через гибкие сильфоны, имеющие спаи металл - стекло. Иногда для раскалывания кристаллов применяются специальные приспособления [17] типа клин-наковальня. [45]
Страницы: 1 2 3 4