Cтраница 1
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией неосновных носителей через р-л-пере-ходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области. [1]
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией с электронно-дырочных переходов и рекомбинаций как в объеме базы, так и на ее поверхности. [2]
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцмей неосновных носителей через электронно-дырочные переходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области. [3]
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией неосновных носителей через р-п-пере-ходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области. [4]
Полностью распределение носителей в базе описывается системой обыкновенных дифференциальных уравнений N - ro порядка. [5]
При больших длинах увлечения распределение носителей в зоне становится почти однородным, а поле пространственного заряда, определяемое в основном распределением фотоионизированных доноров, оказывается смещенным на Фр - тг / 2 относительно интерференционной картины. Для записывающих пучков одинаковой частоты дифракционная эффективность решетки при этом только падает. [6]
При выводе этой формулы распределение носителей вдоль базы было принято экспоненциальным, как и должно быть - в стационарном режиме. Во время переходного процесса распределение дырок характеризуется изображением, оригинал которого слишком сложен для последующего интегрирования. Такое допущение основано на выражениях ( 1 - 124) и ( 1 - 125) для операторной диффузионной длины и ее оригинала. [7]
Распределение носителей тока у поверхности германиевого электрода - типа. [8] |
На рис. 15 показано распределение носителей тока у поверхности германиевого электрода п-типа. [9]
Строгое решение задачи о распределении носителей при моно-полярной диффузии затруднительно. [10]
Строгое решение задачи о распределении носителей при монополярной диффузии затруднительно. Поэтому решим эту задачу для малых возмущений и в диффузионном приближении. [11]
Уровень или энергия Ферми характеризуют распределение носителей в условиях термодинамического равновесия. [12]
Более точное рассмотрение с учетом распределения носителей тока по скоростям показывает, что величина л имеет более сложный смысл. [13]
Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [14] |
Несмотря на внешнее сходство в распределении носителей монополярная диффузия принципиально отличается от биполярной, Отличия состоят в следующем. [15]