Распределение - носитель
Cтраница 4
Поэтому свободные носители в зонах могут поглощать фотоны с непрерывно изменяющейся энергией и структурных особенностей в спектре поглощения свободными носителями не наблюдается, если нет особенностей в распределении носителей в разрешенной зоне. [46]
При расчете о ( /, U) - характеристики в общем случае, когда рекомбинация имеет место во всех областях p - i - n структуры, необходимо принимать во внимание закон распределения носителей в / - области и граничные условия, специфичные для каждого конкретного случая. [47]
Расчет тепла, выделяющегося в течение тех интервалов времени, когда ток через УПВ быстро меняется ( в большинстве случаев обычно меньше 50 мксек), осложняется невозможностью точно предсказать вольтамперные характеристики УПВ, возникающие при неустановившемся распределении носителей. Кроме того, нагрев может быть в зависимости от обстоятельств весьма локальным. Поэтому нагревание прибора в переходных режимах обычно устанавливают эмпирически. Ниже рассматриваются некоторые частные случаи. [48]
Инструкция содержит: перечень и шифры используемых при решении задачи информационных массивов и их материальных носителей; структурные схемы формирования резервных информационных массивов, наименования и шифры используемых программ и массивов; стратегию резервирования и оптимальное число копий для каждого информационного массива, материальные носители для каждой копии; структурные схемы циркуляции каждого массива в циклах безопасности и распределение носителей в зависимости от номера пуска; порядок хранения и использования информационных массивов и их копий; условия ограниченного допуска к массивам и их копиям, хранения массивов перфокарт; перечень лиц, ответственных за безопасность использования и хранение информационных массивов и их копий. [49]
В длинных диодах прямой ток определяется неравновесной проводимостью базовой области. Распределение носителей в базовой области определяется подвижностью и эффективным временем жизни. В магнитном поле вследствие магниторезистивного эффекта уменьшается подвижность носителей и, следовательно, еще более сильно уменьшается проводимость диода. Эффект магнитосопротивления за счет изменения инжекции усиливается в десятки и сотни раз. Магниточувствительность длинных диодов, названных магнито-диодами, во много раз превышает магниточувствительность маниторезисторов, так же, как фоточувствительность инжекционных фотодиодов превышает фоточувствительность обычных фотодиодов и фоторезисторов. [50]
Увеличение базового тока при практически неизменном коллекторном переводит транзистор в режим глубокого насыщения. Распределение носителей для этого случая таково, что градиенты концентраций в базе и v-области остаются теми же, что и на границе режима квази-насыщения, однако уровни их возрастают. [51]
 |
Влияние носителя ( Оа2О3 на распределение атомов. [52] |
Как следует из опытов Ю. И. Беляева и Э. Е. Вайнштейна, благоприятное действие носителя на интенсивность линий примесей вызвано тем, что для веществ, применяемых в качестве носителей, характерно симметричное куполообразное распределение в столбе разряда с резким максимумом концентрации атомов в центре столба дуги. Такое распределение носителя приводит к принудительному сосредоточению примесей в центральной области дуги и уменьшению уноса примесей из зоны разряда. [53]
При этом распределение носителей в направлении оси г /, полученное из уравнений ( 54) - ( 56), практически не изменяется. [54]
Однако такое распределение носителей по сечению пучка нестабильно. [55]
Если к аноду прибора приложить положительное напряжение, то переход / 2 сместится в обратном направлении и благодаря току утечки в нем переходы Л и / 3 слегка сместятся в прямом направлении. При этом распределение носителей изменится так, как это было показано на фиг. Таким образом, для определения блокирующего тока необходимо подсчитать ток утечки перехода / 2 и ток, образующийся вследствие инжекции и перехода носителей через базовый слой. [56]
Страницы: 1 2 3 4