Распределение - носитель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Прошу послать меня на курсы повышения зарплаты. Законы Мерфи (еще...)

Распределение - носитель

Cтраница 2


16 Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [16]

Несмотря на внешнее сходство в распределении носителей, монополярная диффузия принципиально отличается от биполярной. Отличия состоят в следующем.  [17]

Какие условия определяют, является ли распределение носителей равновесным или нет. Ответ зависит от отношения времен, характеризующих взаимодействие носителей между собой и их взаимодействие с решеткой, ко времени жизни носителя.  [18]

Действительно, при выполнении этого условия распределение носителей и в п - и - областях определяется линейным уравнением (19.11) и линейными граничными условиями (34.1) и (34.2) и, следовательно, световой и темновой токи складываются независимо.  [19]

Допустим, что в начальный момент распределение носителей неравновесное, характеризуемое / ( 0), но внешняя сила отсутствует.  [20]

В данном случае информация об однородности распределения носителей в исследуемом образце содержится в распределении яркости на телевизионном экране или в распределении степеней почернения на фотопленке.  [21]

Одним из упрощающих подходов является разложение распределения носителей в ряд Тейлора по их скоростям.  [22]

Шумы токораспределения являются результатом статического характера процесса распределения носителей между электродами прибора.  [23]

К - коэффициент, зависящий от характера распределения носителей тока по скоростям и от механизма их рассеяния.  [24]

На рис. 166 приведена типичная кривая / для распределения носителей, полученная на германии.  [25]

26 Зонная диаграмма дрейфового транзистора в равновесном состоянии.| Распределение равновес ных концентраций носителей в баз дрейфового транзистора. Точкам показано распределение дырок npi инжекции ( 4 - 40. [26]

Когда задан ток эмиттера и имеет место инжекция, распределение носителей получается весьма своеобразным, отнюдь не линейным, как у бездрейфовых транзисторов.  [27]

Согласно электронной теории химической адсорбции, факторы, изменяющие концентрацию и распределение носителей тока в полупроводнике, должны также влиять на адсорбционную способность его поверхности. Одним из таких факторов является внешнее электрическое поле.  [28]

В фототранзисторах поглощение световой - энергии атомами полупроводника изменяет концентрацию и распределение носителей тока, что, в свою очередь, влияет на процесс введения неосновных носителей тока.  [29]

30 Распределение неосновных носителей заряда в различных областях. [30]



Страницы:      1    2    3    4