Cтраница 2
Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [16] |
Несмотря на внешнее сходство в распределении носителей, монополярная диффузия принципиально отличается от биполярной. Отличия состоят в следующем. [17]
Какие условия определяют, является ли распределение носителей равновесным или нет. Ответ зависит от отношения времен, характеризующих взаимодействие носителей между собой и их взаимодействие с решеткой, ко времени жизни носителя. [18]
Действительно, при выполнении этого условия распределение носителей и в п - и - областях определяется линейным уравнением (19.11) и линейными граничными условиями (34.1) и (34.2) и, следовательно, световой и темновой токи складываются независимо. [19]
Допустим, что в начальный момент распределение носителей неравновесное, характеризуемое / ( 0), но внешняя сила отсутствует. [20]
В данном случае информация об однородности распределения носителей в исследуемом образце содержится в распределении яркости на телевизионном экране или в распределении степеней почернения на фотопленке. [21]
Одним из упрощающих подходов является разложение распределения носителей в ряд Тейлора по их скоростям. [22]
Шумы токораспределения являются результатом статического характера процесса распределения носителей между электродами прибора. [23]
К - коэффициент, зависящий от характера распределения носителей тока по скоростям и от механизма их рассеяния. [24]
На рис. 166 приведена типичная кривая / для распределения носителей, полученная на германии. [25]
Когда задан ток эмиттера и имеет место инжекция, распределение носителей получается весьма своеобразным, отнюдь не линейным, как у бездрейфовых транзисторов. [27]
Согласно электронной теории химической адсорбции, факторы, изменяющие концентрацию и распределение носителей тока в полупроводнике, должны также влиять на адсорбционную способность его поверхности. Одним из таких факторов является внешнее электрическое поле. [28]
В фототранзисторах поглощение световой - энергии атомами полупроводника изменяет концентрацию и распределение носителей тока, что, в свою очередь, влияет на процесс введения неосновных носителей тока. [29]
Распределение неосновных носителей заряда в различных областях. [30] |