Распределение - носитель
Cтраница 3
Все это не дает возможности распространить на режим насыщения полученные ранее расчетным путем распределения носителей. Между эмиттером и коллектором распределение носителей определяется соотношениями напряжений на р-га-переходах и напряженностью электрического поля в базе. Из-за рекомбинации в базе закон распределения не вполне линейный. [31]
Рассмотрим влияние размеров областей полупроводника, примыкающих к электронно-дырочному переходу диода, на распределение носителей и токи. [32]
Все это не дает возможности распространить на режим насыщения полученные ранее расчетным путем распределения носителей. Между эмиттером и коллектором распределение носителей определяется соотношениями напряжений на электронно-дырочных переходах и напряженностью электрического поля в базе. Из-за рекомбинации в базе закон распределения не вполне линейный. [33]
Безразмерный параметр а - & Ln / рт характеризует влияние электрического поля на распределение носителей: при а 1 электрическое поле заметно изменяет распределение носителей, а при а 3 влияние поля становится определяющим. [34]
 |
Распределение неосновных носителей заряда в различных областях транзистора при режиме насыщения. [35] |
Все это не дает возможности распространить на режим насыщения полученные ранее расчетным путем распределения носителей. Между эмиттером и коллектором распределение носителей определяется соотношениями напряжений на р-п-переходах и напряженностью электрического поля в базе. Из-за рекомбинации в базе закон распределения не вполне линейный. [36]
Известно, что при неравновесном состоянии теряет смысл понятие уровня Ферми, которое позволяет рассчитать распределение носителей по энергетическим уровням и полную концентрацию носителей в зонах только в состоянии равновесия. [37]
Так как в диодах Шоттки заряд переносится основными носителями, то в них отсутствует неравномерность распределения носителей ( свойственная р - п-перехо-дам), снижающая скорость перехода диода из открытого состояния в закрытое. Следовательно, диоды Шоттки менее инерционны, чем диоды, построенные на р-д-переходах. Время переключения первых может достигать сотых долей наносекунды. [38]
Невырожденным полупроводником считают такой, в котором носители заряда подчиняются законам молекулярно-кинетической теории идеальных газов и распределение носителей по скоростям соответствует статистике Максвелла - Больцмана. [39]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заряда заметно превосходит равновесную. [40]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. [41]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заметно превосходит равновесную. [42]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заряда заметно превосходит равновесную. [43]
Представленная здесь теория в общем следует этим расчетам, но имеется существенная разница вследствие пространственной зависимости иевозму-щенной функции распределения носителей тока из-за потенциала пространственного заряда. [44]
Безразмерный параметр а - & Ln / рт характеризует влияние электрического поля на распределение носителей: при а 1 электрическое поле заметно изменяет распределение носителей, а при а 3 влияние поля становится определяющим. [45]
Страницы: 1 2 3 4