Катодное распыление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В истоке каждой ошибки, за которую вы ругаете компьютер, вы найдете, по меньшей мере, две человеческие ошибки, включая саму ругань. Законы Мерфи (еще...)

Катодное распыление

Cтраница 3


31 Зависимость скорости ползучести а электрографита ЕСА ( С Л от нагрузки з при различных температурах Т. На рисунке справа показана кривая ползучести при Т 2 500 С и ад, 3 4 кг / мм. Зависимость относительного удлинения Д / / / 0 от продолжительности действия нагрузки t [ Л. 43 ].| Зависимость удельного электрического сопротивления р некоторых марок электрографита от температуры Т. Сплошные кривые р на нижнем рисунке относятся к графиту марок CIS и AGX по данным Л. 43 ]. сплошные кривые р на верхнем рисунке ( / lino данным [ Л. З ]. Кривые - - - - - - - - - - - - - - - - - и - о - о-о. [31]

Катодное распыление графита сравнительно мало, работа выхода электронов велика ( см. § 8 - 5 - 11 и гл. Исключительно высока точка плавления графита и мало давление его насыщенных паров ( см. рис. 9 - 5 - i); благодаря таким свойствам этот материал спосо бен конкурировать в вакуумной технике с вольфрамом, молибденом и таиталом.  [32]

Катодное распыление оксидной пленки происходит при сварке переменным током со специальной характеристикой. В полупериоде прямой полярности, когда катодом является нагретый свыше 4000 К вольфрамовый электрод, мощная термоэлектронная эмиссия обеспечивает значительный ток дуги и интенсивное плавление основного металла. Напряжение зажигания почти равно напряжению дуги и при короткой дуге в аргоне может составлять всего 10 В.  [33]

34 Зависимость удельного сопротивления пленок тантала от парциального давления.| Характерные рабочие области режимов. [34]

Прямое катодное распыление диэлектриков одним из высокочастотных методов оказывается более эффективным. Поэтому метод реактивного распыления используется в основном для получения высокоомных резисторов.  [35]

Катодное распыление поверхностного слоя растущей совокупности приводит в первую очередь к замедлению вхождения примесей в состав совокупности через ее поверхность; главным образом это относится к наиболее интенсивно распыляемым элементам. В [13] приведено содержание элементов внедрения ( углерода, азота, кислорода) в вольфраме, полученном при разложении хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. При поверхностной плотности потока энергии разряда больше 40 Вт / см2 содержание этих элементов уменьшается примерно в 2 раза по сравнению с безразрядными условиями.  [36]

Путем катодного распыления удается получать пленки тугоплавких металлов. Для получения нитридов тугоплавких металлов применяется разряд в смеси аргона с азотом, для получения карбидов - смесь аргона с метаном или аргона с окисью углерода. Поскольку такие металлы, как титан, тантал, цирконий и ниобий, являются хорошими газопоглотителями, то даже при распылении в атмосфере аргона без специальной добавки реактивного газа образуются пленки, удельное электрическое сопротивление которых больше, чем удельное сопротивление распыляемого металла. Эти пленки имеют такую же структуру, как и сам распыляемый металл, а растворенные в них атомы газов, не вытесняя атомов металла из кристаллической решетки, располагаются в промежутках между ее узлами.  [37]

Катодным распылением успешно получают пленки германия. С помощью катодного распыления получают также слон CdSb, CdS [19] с такой же подвижностью и концентрацией носителей заряда, как и для исходного образца-мншени.  [38]

Катодным распылением называют процесс вырывания атомов либо молекул вещества катода под действием ударов положительных ионов. Катодному распылению могут подвергаться не только катод, но и другие электроды прибора, а также и стенки.  [39]

40 Схема установки для нанесения пленок методом катодного распыления. [40]

Катодным распылением можно наносить пленки металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков.  [41]

Катодным распылением пользуются для покрытия различных материалов тонкими слоями металл. Катодное распыление полупроводников не изучено.  [42]

Катодным распылением пользуются для покрытия различных материалов тонкими слоями металла. Катодное распыление полупроводников не изучено.  [43]

Катодным распылением алюминия в чистом кислороде получают прозрачную, почти безупречно ровную защитную пленку А12Оз, которая, если ее осадить на металлическое зеркало, защищает его от потускнения на воздухе.  [44]

45 Схема метода катодного осаждения. 1 - источник. 2-подложка. 3 - плазма.| Схема устройства для жидкофазной эпитак-сии со сливом раствора с поверхности пленки ( вверху и принудительным удалением раствора ( внизу. / - подложка. 2 - контейнер. 3-печь сопротивления. 4 - кварцевая ампула. 5-термопара. 6 - 9 - растворы. 10 - ползунок. 1. - кассета. [45]



Страницы:      1    2    3    4