Реактивное распыление

Cтраница 1

Реактивное распыление и распыление в высокочастотном разряде относятся к методу ионно-плазменного распыления. Сущность этого метода заключается в следующем: мишень из материала, который нужно распылить, бомбардируется быстрыми ионами газа, в результате чего с ее поверхности выбиваются атомы, осаждающиеся на расположенных вблизи подложках. Источником ионов служит плазма тлеющего разряда, возникающего в среде инертного газа. [1]

Схема установки трафаретной печати.| Схема конвейерной печи для вжигаиия толстопленочных ИС ( а и один из примеров температурного режима обжига ( б. [2]

Реактивное распыление в среде кислорода используется при изготовлении конденсаторов с оксидным диэлектриком, получаемым при формировании нижней обкладки. [3]

Реактивное распыление в присутствии небольших количеств азота, кислорода, окиси углерода или метана позволяет получать пленки с поверхностными сопротивлениями до 10000 Ом / квадрат. [4]

Реактивное распыление широко применяют для получения высокоомных резисторов. [5]

Реактивное распыление предусматривает введение в среду тлеющего разряда реактивного газа ( кислород, окись углерода и др.), что позволяет получать пленки с заданными свойствами, а также пленки соединений основного материала. Окисление или азотирование распыляемого материала происходит на поверхности мишени либо в процессе формирования пленки. [6]

Реактивное распыление позволяет регулировать состав пленки за счет изменения концентрации реактивного газа. [7]

Реактивное распыление можно определить как распыление в присутствии реактивного газа, так что осаждающаяся пленка может иметь химический состав, отличный от материала мишени. Для получения карбидов или нитридов реактивный газ должен содержать углерод или азот. [8]

Реализация реактивного распыления при трехэлектродной системе и высокочастотном разряде позволяет получить соединения с заданными свойствами и значительно расширяет возможности метода. [9]

Метод реактивного распыления был использован для синтеза только нескольких бинарных и тройных нитридов. Тем не менее простота приготовления, высокое качество получаемых нитридов и легкость контролирования состава показывают, что этот метод для некоторых целей лучше описанного выше метода реакции в газовой фазе. [10]

Метод реактивного распыления дает возможность кристаллизовать многие соединения, так как металлы обычно легко распылить, а ионы неметаллических соединений можно ввести в виде реагентного газа. [11]

Метод реактивного распыления п тлеющем разряде на постоянном токе, описанный в гл. Степень окисления пленок, получаемых катодным распылением, может контролироваться в широких пределах за счет управляемого добавления кислорода в аргон. Этот метод был применен Холландоы и др. [90] для получения полупроводниковой окиси кадмия. За исключением окислов гафния и иттрия, электрическая прочность образцов не зависела от металла обкладок. [12]

Метод катодного реактивного распыления, характеризующийся постоянной разностью потенциалов между катодом и подложкой ( 2 - 5 кВ), применяется для синтеза тонких окисных, нитридных, карбидных пленок в потоке кислорода, азота, метана при давлении 133 - ( 10 - 10 - 3) Па. Используя, например, азотную плазму и кремниевый катод, получают покрытие из нитрида кремния. Ионы азота N выбивают из катода атомы кремния, которые вступают в реакцию с азотом. Образовавшийся нитрид кремния Si3N4 ( с нарушенной в той или иной степени стехиометрией) осаждается на подложке. [13]

Зависимость скорости осаждения от входной мощности, полученная для различных окислов. [14]

При реактивном распылении от скорости осаждения ( уп) зависит отношение компонент, достигающих подложки. Скорость осаждения связана с величиной разрядного тока. [15]

Страницы: 1 2 3 4