Реактивное распыление
Cтраница 4
Хорошо известно, что пленки a - Si: H, полученные методом реактивного распыления, могут содержать атомы инертных газов. [46]
Слои А12О3 получают методами анодного окисления предварительно напыленного тонкого слоя алюминия; его реактивного распыления в кислородной плазме; распыления сапфира электронным или лазерным лучом в вакууме; пиролизом алюминийорганических соединений. [47]
Кроме указанных процессов возможно использование вакуумного напыления, иоияонплазменного ( высокочастотного) распыления и реактивного распыления. Однако эти процессы не удовлетворяют первому и пятому из требований, сформулированных ранее, и потому могут быть рекомендованы только для лабораторных исследований единичных образцов. [48]
 |
Зависимость удельного сопротивления пленок тантала от парциального давления.| Характерные рабочие области режимов. [49] |
Однако как пленки Та2О5, так и окислы ТЮ2, А12О3, SiO, полученные реактивным распылением, оказались непригодными для изготовления диэлектриков пленочных конденсаторов из-за малой электрической прочности и большого тока утечки. [50]
Если бы между материалом катода и химически активным газом существовало только одно соединение, то процесс реактивного распыления был бы достаточно простым при условии, что для образования соединения количества газа достаточно. Однако во многих случаях в зависимости от условий распыления могут получиться различные соединения. [52]
В тонкопленочной технологии используются различные технологические методы нанесения тонкопленочных структур: термовакуумное напыление, катодное распыление, реактивное распыление в среде остаточных молекул реактивного газа, ионноплаз-менное распыление, высокочастотное распыление. [53]
Однослойные пленки на полупроводниковых материалах могут быть получены термическим испарением в вакууме сульфидов и селенидов, а также реактивным распылением некоторых металлов в атмосфере кислорода и осаждением окисных пленок разнообразными химическими методами. [54]
При осаждении слоев наилучших результатов удается достигнуть, используя реакции аммонолиза моносилана или газообразных галогенидов кремния, а также реактивное распыление кремния в азотной плазме. [55]
При распылении с геттерированием [23, 24], прежде чем начинается образование пленки за счет катодного распыления, из газа за счет реактивного распыления удаляются ( геттерируются) химически активные составляющие. Такой метод дает пленки очень высокой чистоты. В типичной установке для напыления с геттерированием в системе кроме обычной подложки, анода, имеется второй анод. Этот анод имеет форму экрана, окружающего катод и подложку. Сначала подложку закрывают заслонкой, чтобы предотвратить осаждение пленки, и все химически активные газы внутри экрана удаляют за счет поглощения в металле, распыленном из катода и осевшем на стенках сосуда. В результате этого давление химически активных газов в системе можно уменьшить до 10 - 1С мм рт. ст. Чтобы достичь такого давления в обычной системе, требуются сложные насосы и длительное обезгаживание. После геттерирования заслонку отводят и катод распыляют на подложку. Выделение газов из стенок сосуда сдерживается напыленными слоями металлических соединений. Экран делают плотно прилегающим к катоду и аноду, так что диффузия примесей из остальной части системы затруднена. Сначала систему откачивают до - 10 - 6 мм рт. ст. и при температуре приблизительно на 50 выше температуры осаждения производят обезгаживание подложки. Вообще говоря, необходимо независимое регулирование температуры подложки. В качестве газа обычно используют Аг, и реактивного распыления в течение 15 - 30 мин обычно достаточно, чтобы очистить атмосферу. Стойрер и Хозер [24] на стадии разложения использовали давление Аг в интервале ( 31 - 4 - 185) 10 - 3 мм рт. ст. До сих пор специального упора на выращивание монокристаллов не делалось, и это потребует, вероятно, более высоких температур подложки и применения монокристальных подложек. Распыление с геттерированием дает возможность изучать механизмы роста кристаллов в сверхчистых условиях, а также получать сверхчистые пленки. [56]
Страницы: 1 2 3 4