Реактивное распыление

Cтраница 3

Пленки тантала формируются на подложке методом реактивного распыления с последующей подгонкой удельного поверхностного сопротивления до 50 Ом методом анодного окисления. Конфигурацию резистивных и конденсаторных схем воспроизводят методом ионного травления пленки алюминия через маску фоторезиста. В качестве изолирующего слоя применяют пленки окиси кремния. Диэлектрический слой конденсатора создают методом селективного анодного окисления тантала. Верхние электроды конденсаторов, межсоединения и контактные площадки формируют методами напыления слоев хрома и золота. [31]

Лабораторная трубчатая печь для осаждения покрытий из реактивной газовой смеси SiCl4 с NH3. [32]

Но более широкое применение находят методы реактивного распыления твердых материалов, вводимых в процесс в виде катодов и специальных мишеней. В этом случае химические реакции происходят на катоде, мишенях, в газовой фазе и зоне осаждения. [33]

Существуют два метода вакуумного осаждения стекол - реактивное распыление на постоянном - токе и высокочастотное распыление. [34]

Один из основных вопросов, интересующих исследователей реактивного распыления, заключается в определении той области распылительной системы, где происходит реакция. Образует ли химически активный газ слой на поверхности катода, после чего распыляются молекулы соединения, или же реакции происходит непосредственно на подложке. Реакция в газовой фазе маловероятна из-за возникающих проблем сохранения импульса и рассеяния теплоты реакции. Однако известны факты испускания котодом и молекулярных частиц. Так, например, в работе [86] проведен масс-спектрометрический анализ ионов, эмиттиро-ванных с поверхности тантала, распыляемой в парах ртутч в условиях, не исключающих загрязнения катода. [35]

Диэлектрик конденсатора формируется методами термического напыления, ионно-плазменного и реактивного распыления. [36]

Отечественная промышленность выпускает несколько типов установок для катодного, плазменного и реактивного распыления, предназначенных для осаждения металлических и диэлектрических пленок в производстве гибридно-пленочных и полупроводниковых ИМС. [37]

Конденсаторы, полученные окислением в плазме или реактивным распылением, не исследованы столь же полно, как полученные анодированием в электролитах. [38]

Вакуумная камера для нанесения ТОНКИХ ПЛеНОК ТерМИЧеСКИМ ИС. [39]

Процесс распыления в химически активной среде называют реактивным распылением. [40]

Для получения электроизоляционных пленок оксидов и нитридов применяется реактивное распыление, при котором газоразрядная плазма создается в смеси инертного газа с активными кислородом или азотом. В результате реакции распыленного вещества с атомами активного газа образуется вещество пленки, осаждаемое на подложку. Такие реакции могут протекать в межэлектродном пространстве или на поверхности подложки. Скорость нанесения пленок при таком распылении менее 0 1 нм / с, и толщина пленок не превышает 150 - 200 нм. Катодным распылением в среде инертного газа удается наносить пленки силикатных стекол. [41]

Поскольку все металлы IV-VI групп можно распылить, реактивным распылением можно осадить почти неограниченное количество бинарных, тройных или более высоких порядков карбидов и нитридов. Меняя парциальное давление реактивного газа, можно также изменять относительное содержание неметалла и металла. [42]

Непрямые методы: пиролиз алкоксисиланов; окисление моносилана; реактивное распыление кремния в кислородной плазме. [43]

Вообще говоря, за исключением того, что при реактивном распылении во многих случаях следует ожидать уменьшения срока службы датчиков давления, процессы, происходящие при таком распылении, не отличаются от процессов при обычном ионном распылении. Кроме того, если разряд поддерживается с помощью термоэлектронной эмиссии из нагреваемого прямонакального катода, то срок службы такого катода будет существенно уменьшен присутствием в газовой атмосфере химически активных компонентов, есл и только их парциальное давление не будет очень низким. [44]

Помимо кислорода наиболее часто в качестве активного газа при реактивном распылении используется азот. Представляют интерес как растворенный в тантале азот, так и нитриды тантала. Обычный метод измерения процентного содержания азота в пленках системы тантал - азот заключается в установлении определенной концентрации азота в рабочей атмосфере. [45]

Страницы: 1 2 3 4