Реактивное распыление

Cтраница 2

При реактивном распылении желательно, чтобы инертный и активный газы смешивались бы заранее перед их пуском в рабочую камеру. [16]

При методе реактивного распыления [25-27], который, конечно, является методом многокомпонентных систем, в вакуумную систему того же самого типа, что и в методе катодного распыления, вводят реагентный газ и он соединяется с частицами катода, так что на подложке осаждается слой соединения вещества катода с реагеитным газом. Детали механизма реакции не ясны; не ясно даже то, где она происходит. Требуемое напряжение составляет несколько киловольт, давление - от 10 - до 10 - 3 мм рт. ст. Атмосфера представляет собой смесь инертного и реагентного газов. [17]

В методе реактивного распыления для переноса вещества используются химические реакции синтеза на источнике и диссоциации на подложке. [18]

Зависимость скорости нанесения пленок SiO2 методом реактивного распыления от процентного содержания кислорода в распылительной атмосфере. [19]

Вообще, реактивным распылением были получены пленки большого числа окислов металлов. К наиболее ранним исследованиям относится работа Хайзингера и Кенига [97], которые получили окислы алюминия, кадмия, титана, кремния и тория. [20]

Влияние парциального давления / азота. [21]

Наиболее характерным является реактивное распыление тантала в среде азота, который в небольших количествах добавляют к аргону. [22]

Наряду с процессами реактивного распыления для получения пленок заданного состава иногда используют методы реактивного испарения. Существует несколько разновидностей этого метода, например, метод, когда в испарителе происходит реакция синтеза летучего соединения, а на подложке диссоциация этого соединения с образованием пленки переносимого вещества. [23]

Характерной особенностью процесса реактивного распыления является образование соединений типа АВ в результате взаимодействия ионов реактивного газа В ( О2, N2) с атомами мишени А. Реактивный газ вводится в рабочую камеру и активируется газовым разрядом. [24]

Зависимость верхнего критического поля ( Яс твердых растворов. [25]

Пленки были приготовлены реактивным распылением с использованием аппаратуры, описанной в гл. Причина такого различия в значениях Нс, не ясна, поскольку величины Тс для этих пленок на 3 - 5 К ниже, чем у массивных образцов, а величины НСг сравнительно толстых пленок ( 2000 - 8000 А) не зависят от толщины пленки. [26]

Окислы образуются при реактивном распылении добавлением к газу нескольких процентов кислорода. Более высокая концентрация кислорода в газовой смеси приводит к образованию плотного окисного покрытия и прекращению разряда постоянного тока. Поэтому в установках с двумя электродами давление реактивного газа может меняться в очень узких пределах. В установках с тремя электродами, где поверхность мишени ниже поверхности подложки, диапазон изменения парциального давления реактивного газа значительно шире. [27]

Различают три основных вида реактивного распыления - катодное, ионное и высокочастотное. При реактивном распылении газовая среда ( кислород, азот, метан, аммиак) химически активна по отношению к распыляемым материалам. [28]

Процессы, протекающие при реактивном распылении, вызывают снижение срока службы некоторых элементов системы распыления, в частности датчиков давлений, прямоканальных термокатодов, вследствие присутствия в системе химически активных компонентов. [29]

Наибольшую часть соединении, получаемых реактивным распылением, несомненно, составляют окислы. Это обусловлено как полезными свойствами окислов многих металлов, так и легкостью, с которой можно проводить реактивное распыление в кислороде. Введение в распылительную камеру кислорода оказывает заметное влияние на вид тлеющего разряда в аргоне. В частности, добавление даже небольших количеств кислорода влияет на разряд так же, как значительное повышение давления в камере: сокращается темное пространство и уменьшается импеданс разряда. Этот эффект объясняется тем, что дрейфовая скорость электронов, движущихся в темном пространстве, уменьшается в присутствии атомов кислорода, которые временно связывают электроны и превращаются в отрицательные ионы. Другим следствием присутствия в зоне разряда отрицательных ионов является то, что вокруг анода может образоваться область скопления отрицательных ионов, аналогичная оболочке из положительных ионов на катоде. [30]

Страницы: 1 2 3 4