Рассасывание - заряд
Cтраница 1
Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. [1]
 |
Диаграммы изменения во времени базового тока транзистора и напряжения на конденсаторе блокинг-генератора. [2] |
После рассасывания неравновесного заряда транзистор закрывается. [3]
Динамика рассасывания заряда при выключении тиристора путем изменения полярности анодного напряжения описана во многих работах, например в [42, 71] и др. В настоящем параграфе приводятся экспериментальные результаты исследования влияния выключающего тока управления на эти процессы и дается их физическая интерпретация. [4]
Так как рассасывание заряда в базе транзистора происходит не мгновенно, то коллекторный ток убывает постепенно. [5]
Если преобладает поверхностное рассасывание зарядов, то постоянная времени т определяется не только удельным поверхностным сопротивлением пов, но и средним расстоянием между противоположными зарядами. Это в свою очередь усложняет задачу, поскольку сопротивление и емкость определяются влиянием различных факторов. [6]
Постоянная времени рассасывания заряда в р-п-р-п структуре при выключении ее под действием обратного анодного напряжения. [7]
После окончания рассасывания заряда в базе транзистора ток базы становится практически равным нулю. Дальнейшее рассасывание заряда в базе диода Д2 происходит только вследствие рекомбинации. [8]
По окончании рассасывания зарядов в базе усилительные свойства триода восстановятся, и ток коллектора будет стремиться к значению pie. Но к этому времени ток базы уже уменьшился до нуля, поэтому ток коллектора начнет быстро убывать. [9]
 |
Структурная схема ( а, распределение неосновных носителей перед выключением ( б, графики тока и напряжения при выключении ( в планарного тиристора с высокоомным. [10] |
Таким образом, рассасывание заряда, накопленного в базе л-типа и в подложке, а следовательно, и время выключения в основном обусловлены временем жизни носителей в этих областях. [11]
В момент 3 заканчивается рассасывание заряда - диод снова возвращается в состояние с высоким обратным сопротивлением. При этом напряжение становится, равным исходному значению о прб, а ток равен малому току проводимости при закрытом р - п - переходе. В таком состоянии диод пребывает до момента / 4, т.е. до начала действия нового импульса тока. [12]
На участке гр происходит рассасывание неравновесного заряда в базе. На первом этапе выключения концентрация носителей заряда у коллекторного перехода остается практически неизменной и, следовательно, он сохраняет прямое смещение. [13]
 |
Диодный шифратор.| Диодная логическая схема И на п входов. [14] |
В момент 11 заканчивается рассасывание заряда неосновных носителей в диодах и они закрываются. [15]
Страницы: 1 2 3 4