Рассасывание - заряд
Cтраница 3
На рис. 3.11 6 показаны последовательные стадии рассасывания неравновесного заряда и изменения, происходящие в распределении концентрации неравновесных носителей в базе диода. [31]
Скорость переключения рассматриваемых ключей определяется процессами накопления и рассасывания заряда неосновных носителей в базе транзистора, перезарядом барьерных емкостей транзисторов и нагрузочных емкостей. [32]
При достаточной амплитуде и длительности импульса управления процесс рассасывания зарядов в базах приводит к выходу коллекторного перехода из насыщения. [33]
При достаточной амплитуде и длительности импульса управления процесс рассасывания зарядов в базах приводит к выходу их из состояния насыщения. [34]
 |
Распределение неравновесных носителей в базе диода в различные моменты времени. [35] |
На рис. 3.16, б показаны последовательные стадии рассасывания неравновесного заряда и изменения, происходящие в распределении концентрации неравновесных носителей в базе диода. [36]
 |
Влияние диффузионной проводимости на форму выпрямленного тока. [37] |
При этом обратный ток сильно возрастает и способствует более быстрому рассасыванию заряда в базе диода. [38]
При этом наибольшей является задержка выключения, так как рассасывание заряда, накопленного транзистором Т7, начинается только после того, как становится возможным протекание тока от базы транзистора Т, к земле. В то же время включение транзистора Г, происходит значительным током, задаваемым транзистором Г4 при рассасывании его накопленного заряда, в дополнение к базовому току, определяемому резистором Rb. Отметим, что в цепи база транзистора Т8 - земля нельзя использовать один резистор ( например, резистор R9), так как в этом случае транзистор Т7 будет постоянно открыт, что не обеспечивает состояния 1 на прямом выходе. [39]
Таким образом, за счет инерционности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистора происходит искажение формы выходного импульса - он удлиняется и фронты становятся пологими. [40]
При переменном токе после прохождения тока через нуль происходит быстрое рассасывание зарядов вследствие диффузии, и через 10 мкс между контактами восстанавливается электрическая прочность вакуума. Быстрое нарастание электрической прочности промежутка после прохождения тока через нуль является большим достоинством вакуумных выключателей. [41]
Положительный базовый ток ( являясь инверсным током) способствует быстрейшему рассасыванию зарядов в базе и запиранию тем самым триода. На диаграммах рис. 3.15, виг этот ток не показан. [42]
 |
Динамическая зарядоуправляемая модель диода. [43] |
Появляющаяся погрешность связана с тем, что после окончания этапа рассасывания заряда ( / д0 или ФБО) изменение обратного тока в этих моделях определяется только барьерной емкостью Сбар. [44]
Длительность импульса определяется величиной индуктивности первичной обмотки трансформатора, длительностью рассасывания зарядов в базе. Некоторое влияние имеет емкость конденсатора С и сопротивление нагрузки. [45]
Страницы: 1 2 3 4