Рассасывание - заряд
Cтраница 2
Обратный ток эмиттера способствует рассасыванию заряда в базе и тем самым уменьшает время задержки выключения транзистора и задний фронт импульса коллекторного тока. [16]
 |
Схема ключа на кращаются, но увеличивается время рас-гранзисторе, включенном по, л пс - ч. [17] |
Обратный ток эмиттера способствует рассасыванию заряда в базе и тем самым уменьшает время рассасывания транзистора и время спада импульса коллекторного тока. [18]
Длительность этого процесса определяется рассасыванием зарядов в базе транзистора TI до величины граничного заряда, при котором транзистор выходит из режима насыщения в активную область. [19]
 |
График типичной зависимости ff от / к интегрального транзистора п-р-п-тпа. [20] |
Поскольку длительности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистора определяются не только его параметрами, а в. [21]
Из-за инерционности процессов накопления и рассасывания зарядов в базе транзистора выходного каскада строчной развертки, работающего в ключевом режиме, обратный ход начинается с некоторым запаздыванием по отношению к управляющему импульсу. Это приводит к тому, что край изображения с левой или правой стороны экрана может не воспроизводиться. [22]
Из-за инерционности процессов накопления и рассасывания зарядов в базе транзистора выходного каскада строчной развертки, работающего в ключевом режиме, обратный ход начинается с некоторым запаздыванием по отношению к управляющему импульсу. [23]
После окончания входного импульса начинается рассасывание заряда, накопленного в базе транзистора. [24]
Инерционность, связанная с накоплением и рассасыванием зарядов, в стабилитронах не имеет места, так как при обратном смещении не, происходит инжекции неосновных носителей. Поэтому их инерционные свойства связаны с наличием барьерной емкости перехода. [25]
При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. [26]
При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. Выходная емкость транзистора заряжается, а ток коллектора уменьшается по экспоненциальному закону и после определенного времени, называемого временем спада tc ( см. рис. 16.39, г), принимает исходное значение / ко. [27]
Для импульсов значительной длительности, пренебрегая временем рассасывания зарядов, можно приближенно считать, что импульс заканчивается в момент разряда конденсаторов до напряжения, близкого к нулевому. [28]
Длительность выключения 4ыкл определяется прежде всего временем рассасывания заряда в базах, а иногда и временем перезаряда емкостей переходов. [29]
 |
Распределение неравновесных носителей в базе диода в различные моменты времени. [30] |
Страницы: 1 2 3 4